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本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括基底及下电极。基底中形成有着陆焊盘。下电极主要包括两个部分，其中一个部分为形成在基底上且与着陆焊盘接触的柱状结构，另一个部分为形成在柱状结构上且与柱状结构的上端面接触的筒状结构。采用下...
该专利属于真芯（北京）半导体有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过真芯（北京）半导体有限责任公司授权不得商用。

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