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本申请公开一种半导体存储装置，能够克服现有技术中的问题，优化半导体产品的良率。所述半导体存储装置包括衬底，表面形成有接触窗，所述接触窗暴露所述衬底内部；多个堆叠结构，形成于所述衬底表面，且所述接触窗位于相邻两个所述堆叠结构之间；第一材料层，...
该专利属于福建省晋华集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过福建省晋华集成电路有限公司授权不得商用。

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