DPC围坝陶瓷基板制造技术

本实用新型专利技术公开一种DPC围坝陶瓷基板，包括有DPC陶瓷基板，DPC陶瓷基板具有相对侧设置的正面和背面，DPC陶瓷基板上设置有上线路层和下线路层，DPC陶瓷基板具有线路层布置区和环绕线路层布置区的工艺边框区，上线路层和下线路层位于线路层布置区，上线路层的上表面设置有若干间距排布的金属围坝，DPC陶瓷基板的背面对应工艺边框区设置有工艺边框加厚层，工艺边框加厚层高于背面金属层,通过工艺边框加厚层的设计，利用工艺边框加厚层来平衡DPC陶瓷基板的正面应力，减薄了背面线路，使得产品结构整体厚度减薄。结构整体厚度减薄。结构整体厚度减薄。

【技术实现步骤摘要】
DPC围坝陶瓷基板


[0001]本技术涉及陶瓷基板领域技术，尤其是指一种DPC围坝陶瓷基板。

技术介绍

[0002]对于目前要求气密性封装的光器件来说，通常需要在陶瓷基板上设置有围坝，利用围坝所围构形成的容置空间可填充封装胶水，从而实现更好的气密性。现有技术中，采用DPC工艺制作3D围坝时，为了陶瓷基板整体不变形或者变形量符合标准，背面线路通过加厚来平衡正面应力，这种产品结构整体厚度太厚，满足不了一些特需领域用的3D围坝陶瓷基板的整体厚度要求。
[0003]因此，需要研究一种新的技术方案来解决上述问题。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本技术针对现有技术存在之缺失，其主要目的是提供一种DPC围坝陶瓷基板，其主要是通过工艺边框加厚层的设计，有效解决了传统技术中，背面线路结构厚度太厚，满足不了一些特需领域用的3D围坝陶瓷基板的整体厚度要求的问题。
[0005]为实现上述目的，本技术采用如下之技术方案：
[0006]一种DPC围坝陶瓷基板，包括有DPC陶瓷基板，所述DPC陶瓷基板具有相对侧设置的正面和背面，所述DPC陶瓷基板上设置有上线路层和下线路层，所述上线路层、下线路层分别设置于DPC陶瓷基本的正面和背面，所述DPC陶瓷基板具有线路层布置区和环绕线路层布置区的工艺边框区，所述上线路层和下线路层位于线路层布置区，所述上线路层的上表面设置有若干间距排布的金属围坝，所述DPC陶瓷基板的背面对应工艺边框区设置有工艺边框加厚层，所述工艺边框加厚层高于背面金属层。
[0007]作为一种优选方案，所述工艺边框区为环形区域。
[0008]作为一种优选方案，所述工艺边框加厚层为环形结构。
[0009]作为一种优选方案，所述DPC陶瓷基板为氮化铝陶瓷或氧化铝陶瓷或氮化硅陶瓷或铝硅碳陶瓷。
[0010]作为一种优选方案，所述工艺边框加厚层的外周侧面与DPC陶瓷基板的工艺边框区的外周侧面齐平。
[0011]作为一种优选方案，所述工艺边框加厚层为金属镀层。
[0012]本技术与现有技术相比具有明显的优点和有益效果，具体而言,由上述技术方案可知，其主要是通过所述工艺边框加厚层的设计，利用工艺边框加厚层来平衡DPC陶瓷基板的正面应力，不需像传统技术那样对背面线路加厚，减薄了背面线路，使得产品结构整体厚度减薄，有效解决了传统技术中，背面线路结构厚度太厚，满足不了一些特需领域用的3D围坝陶瓷基板的整体厚度要求的问题。
[0013]为更清楚地阐述本技术的结构特征和功效，下面结合附图与具体实施例来对本技术进行详细说明。
附图说明
[0014]图1是本技术之实施例的立体示图；
[0015]图2是本技术之实施例的正视图；
[0016]图3是本技术之实施例的另一立体示图；
[0017]图4是本技术之实施例的仰视图；
[0018]图5是本技术之实施例的截面图。
[0019]附图标识说明：
[0020]10、DPC陶瓷基板
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11、上线路层
[0021]12、下线路层
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13、线路层布置区
[0022]14、工艺边框区
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15、工艺边框加厚层
[0023]16、金属围坝。
具体实施方式
[0024]请参照图1至图5所示，其显示出了本技术之实施例的具体结构。
[0025]在本技术的描述中，需要说明的是，对于方位词，如有术语
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上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”等指示方位和位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于叙述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定方位构造和操作，不能理解为限制本技术的具体保护范围。
[0026]一种DPC围坝陶瓷基板，包括有DPC陶瓷基板10，所述DPC陶瓷基板10具有相对侧设置的正面和背面，所述DPC陶瓷基板10上设置有上线路层11和下线路层12，所述上线路层11、下线路层12分别设置于DPC陶瓷基本10的正面和背面，其特征在于：所述DPC陶瓷基板10具有线路层布置区13和环绕线路层布置区13的工艺边框区14，所述上线路层11和下线路层12位于线路层布置区13，所述上线路层11的上表面设置有若干间距排布的金属围坝16，所述DPC陶瓷基板10的背面对应工艺边框区14设置有工艺边框加厚层15，所述工艺边框加厚层15高于背面金属层。
[0027]优选地，所述DPC陶瓷基板10为氮化铝陶瓷或氧化铝陶瓷或氮化硅陶瓷或铝硅碳陶瓷或其他陶瓷。
[0028]在本实施例中，所述工艺边框区14为环形区域, 所述工艺边框加厚层15为金属镀层，所述工艺边框加厚层15为环形结构, 所述工艺边框加厚层15的外周侧面与DPC陶瓷基板10的工艺边框区14的外周侧面齐平。
[0029]所述金属围坝16的坝体对应所述凹槽的位置变薄，依据力学原理：开槽后，金属围坝16的应力增大；在相同开槽宽度下，随着开槽深度的增加，金属围坝16的应力呈递增趋势；在相同的开槽深度下，随着开槽宽度的增加，所测金属围坝16的应力也是呈递增趋势。在进行100℃4小时预考释放应力，通过最传统的方法，把工件放进热时效炉中进行热处理，慢慢消除应力。
[0030]详述本实施例的工艺流程如下：
[0031]在DPC陶瓷基板10上镀上一层金属；接着，进行金属围坝16和背面工艺边框加厚（一般为金属镀层）形成工艺边框加厚层15，然后，进行100℃4小时预烤释放应力，之后，切割下工艺边框加厚层15，最后进行阻焊制作。
[0032]本技术的设计重点在于，其主要是通过所述工艺边框加厚层的设计，利用工艺边框加厚层来平衡DPC陶瓷基板的正面应力，不需像传统技术那样对背面线路加厚，减薄了背面线路，使得产品结构整体厚度减薄，有效解决了传统技术中，背面线路结构厚度太厚，满足不了一些特需领域用的3D围坝陶瓷基板的整体厚度要求的问题。
[0033]以上所述，仅是本技术的较佳实施例而已，并非对本技术的技术范围作任何限制，故凡是依据本技术的技术实质对以上实施例所作的任何细微修改、等同变化与修饰，均仍属于本技术技术方案的范围内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种DPC围坝陶瓷基板，包括有DPC陶瓷基板，所述DPC陶瓷基板具有相对侧设置的正面和背面，所述DPC陶瓷基板上设置有上线路层和下线路层，所述上线路层、下线路层分别设置于DPC陶瓷基本的正面和背面，其特征在于：所述DPC陶瓷基板具有线路层布置区和环绕线路层布置区的工艺边框区，所述上线路层和下线路层位于线路层布置区，所述上线路层的上表面设置有若干间距排布的金属围坝，所述DPC陶瓷基板的背面对应工艺边框区设置有工艺边框加厚层，所述工艺边框加厚层高于背面金属层。2.根据权利要求1所述的DP...

【专利技术属性】
技术研发人员：袁广，罗素扑，黄嘉铧，
申请(专利权)人：惠州市芯瓷半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：