三维存储器及其制备方法技术

本申请提供了一种三维存储器及其制备方法。三维存储器的制备方法包括：交替叠置绝缘层、间隔层、所述绝缘层以及牺牲层以形成叠层结构，并形成贯穿所述叠层结构的沟道结构，其中所述沟道结构包括形成于所述沟道结构的内壁上的电荷捕获层；以及经由所述间隔层断开所述电荷捕获层。述电荷捕获层。述电荷捕获层。

【技术实现步骤摘要】
三维存储器及其制备方法


[0001]本申请涉及半导体
，更具体地，涉及三维存储器及其制备方法。

技术介绍

[0002]三维存储器通过使用垂直存储器阵列来增加存储密度。三维存储器的制备工艺主要包括：首先在绝缘层和栅极层交替叠置的叠层结构中形成沟道孔，然后在沟道孔依次沉积功能层和沟道层以形成具有存储功能的沟道结构。
[0003]沟道结构中的功能层是三维存储器完成存储功能的关键结构。具体地，功能层包括在沟道结构的外壁上依次形成的氧化硅
‑
氮化硅
‑
氧化硅(ONO)结构，每个栅极层可与对应的ONO结构功能层相接触。并且栅极层可控制对应的ONO结构以捕获电荷的方式实现存储功能。
[0004]在现有技术中，采用例如氮化硅层作为电荷陷阱(SiN charge trap)，使电荷(空穴或电子)保持在电荷捕获层。然而，在存储过程中，存储于电荷陷阱的电荷会向沟道结构的轴向方向扩散，这会造成每个栅极层对应的电荷捕获层的存储可靠性降低，从而降低三维存储器的保持(retention)特性。如何改善电荷陷阱中的电荷本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种三维存储器的制备方法，其特征在于，包括：交替叠置绝缘层、间隔层、所述绝缘层以及牺牲层以形成叠层结构，并形成贯穿所述叠层结构的沟道结构，其中所述沟道结构包括形成于所述沟道结构的内壁上的电荷捕获层；以及经由所述间隔层断开所述电荷捕获层。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，形成贯穿所述叠层结构的沟道结构包括：形成贯穿所述叠层结构的沟道孔；经由所述沟道孔氧化所述牺牲层的一部分；以及在所述沟道孔的内壁上形成电荷捕获层。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，经由所述间隔层断开所述电荷捕获层包括：去除所述间隔层以形成间隔间隙；以及经由所述间隔间隙断开所述电荷捕获层。4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，经由所述间隔间隙断开所述电荷捕获层包括：经由所述间隔间隙刻蚀所述电荷捕获层的与所述间隔间隙对应的部分。5.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，经由所述间隔间隙断开所述电荷捕获层包括：经由所述间隔间隙氧化所述电荷捕获层的与所述间隔间隙对应的部分。6.根据权利要求4或5所述的制备方法，其特征在于，所述方法还包括：去除所述牺牲层的未被氧化的部分以形成牺牲间隙；以及将导电材料填充于所述牺牲间隙。7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，将导电材料填充于所述牺牲间隙之前，所述方法还包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴继君，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：