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本申请提供了一种三维存储器及其制备方法。三维存储器的制备方法包括：交替叠置绝缘层、间隔层、所述绝缘层以及牺牲层以形成叠层结构，并形成贯穿所述叠层结构的沟道结构，其中所述沟道结构包括形成于所述沟道结构的内壁上的电荷捕获层；以及经由所述间隔层断...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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