功率器件模块用覆铜氮化硅基板制造技术

本实用新型专利技术公开了功率器件模块用覆铜氮化硅基板，涉及氮化硅基板技术领域。功率器件模块用覆铜氮化硅基板，包括氮化硅陶瓷基板，所述氮化硅陶瓷基板上覆接有复合层，复合层表面上形成有多个凹孔，复合层上表面覆接有覆铜膜层，覆铜膜层上叠加有铜板层，铜板层和覆铜膜层之间设有结合层，所述结合层依次包括氧化物层、致密层和亲和层，氧化物层、致密层和亲和层依次叠加，所述氧化物层为Al2O3薄膜层。本实用新型专利技术使得敷铜层的致密性大大增加，复合层和覆铜膜层紧密贴合，进而有效地改善覆铜氮化硅基板中铜和氮化硅陶瓷基板间的结合强度较差的问题，致密层中含有致密相，能有效抑制Cu

【技术实现步骤摘要】
功率器件模块用覆铜氮化硅基板


[0001]本技术涉及氮化硅基板
，具体为功率器件模块用覆铜氮化硅基板。

技术介绍

[0002]功率半导体器件作为有效利用电力能源所不可缺少的关键元件备受瞩目。功率半导体器应用于从个人电脑和家电等电子产品的电源，到电动汽车和铁路车辆的逆变器，再到光伏发电系统的功率调节器等人们身边的各个领域。然而，电路密度和功能的不断提高导致电路工作温度不断上升，为了防止元件因热聚集和热循环作用而损坏，对基板材料的低介电常数、低热膨胀系数、高热导率等方面提出的要求越来越严格。目前，最受瞩目的高热导率材料是氮化硅基板。因为氮化硅基板热导率高，而且拥有很好的机械性能强度以及韧性，可以使用在轨道交通，汽车等要求高可靠性的应用领域。
[0003]由于氮化硅基板与铜氧共晶液相不润湿，使氮化硅基板与铜层结合强度低，并且在高温下，两者会反应产生N2，界面处易存在小气泡使铜层易产生鼓包，导致铜和氮化硅陶瓷基板间的结合强度较差，使得紧密性较差，为此本技术提出一种新型的解决方案。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于提供本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.功率器件模块用覆铜氮化硅基板，包括氮化硅陶瓷基板（1），其特征在于：所述氮化硅陶瓷基板（1）上覆接有复合层（2），复合层（2）表面上形成有多个凹孔，复合层（2）上表面覆接有覆铜膜层（3），覆铜膜层（3）上叠加有铜板层（7），铜板层（7）和覆铜膜层（3）之间设有结合层。2.根据权利要求1所述的功率器件模块用覆铜氮化硅基板，其特征在于：所述结合层依次包括氧化物层（4）、致密层（5）和亲和层（6），氧化物层（4）、致密层（5）和亲和层（6）依次叠加。3.根据权利要求2所述的功率器件模块用覆铜氮化硅基板，其特征在于：所述氧化物层（4）为Al2O3薄膜层，致密层（5）为Cr2O3薄膜层，亲和层（6）为CuTiO3层。4.根据权利要求1所述的功率器件模...

【专利技术属性】
技术研发人员：曾开有，郑长裕，蓝桂兰，
申请(专利权)人：漳州瑞沃电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：