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本实用新型公开了功率器件模块用覆铜氮化硅基板，涉及氮化硅基板技术领域。功率器件模块用覆铜氮化硅基板，包括氮化硅陶瓷基板，所述氮化硅陶瓷基板上覆接有复合层，复合层表面上形成有多个凹孔，复合层上表面覆接有覆铜膜层，覆铜膜层上叠加有铜板层，铜板层...
该专利属于漳州瑞沃电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过漳州瑞沃电子科技有限公司授权不得商用。

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