功率器件封装装置及方法制造方法及图纸

本申请提供了一种功率器件封装装置及方法，涉及电子的技术领域。功率器件封装装置包括：第二金属绝缘基板和第一金属绝缘基板中的至少一个具有金属绝缘焊坝，以用于第一金属绝缘基板与第二金属绝缘基板连接时形成对芯片的封装；互联线路主体对应与第一金属绝缘基板，和/或第二金属绝缘基板一体化连接，金属柱体的至少一部分的结构被配置于第一金属绝缘基板的内部或第二金属绝缘基板的内部，且互联线路主体与芯片连接。将第二金属绝缘基板与第一金属绝缘基板配合替代传统塑封作为芯片封装的外壳，能够提高其散热能力，且通过互联线路主体将芯片与外部电路导通，提高了抗跌落能力和抗翘曲能力的同时，也能减小封装装置的尺寸。寸。寸。

【技术实现步骤摘要】
功率器件封装装置及方法


[0001]本申请涉及微电子的
，具体而言，涉及一种功率器件封装装置及方法。

技术介绍

[0002]举凡工业、家电、电力系统、交通、商业、航空、计算机通讯到军事用途，都可见到电力电子使用的总计，在电力电子的
中，常利用功率半导体组件来达到各种需求。
[0003]现有的功率器件一般采用塑封，导致功率器件整体的散热能力较弱。

技术实现思路

[0004]本申请的目的在于提供一种功率器件封装装置及方法，旨在解决现有的功率器件整体的散热能力较弱的技术问题。
[0005]为达上述目的，本申请采用以下技术方案：
[0006]第一方面，本申请提供一种功率器件封装装置，包括：第一金属绝缘基板；第二金属绝缘基板，所述第二金属绝缘基板和所述第一金属绝缘基板中的至少一个具有金属绝缘焊坝，以用于所述第一金属绝缘基板与所述第二金属绝缘基板连接时形成对芯片的封装；互联线路主体，对应与所述第一金属绝缘基板，和/或所述第二金属绝缘基板一体化连接，所述互联线路主体具有金属柱体，所述金属柱体的至少一部分的结构被配置于所述第一金属绝缘基板的内部或所述第二金属绝缘基板的内部，且所述互联线路主体与所述芯片连接，以用于所述芯片与外部电路导通；其中所述第一金属绝缘基板与所述第二金属绝缘基板形成整体封装时，两者的整体封装的外形面积不超过所述芯片的面积的0.2倍，整体封装的厚度不超过所述芯片的厚度的一倍。
[0007]在上述实现的过程中，通过将第二金属绝缘基板与第一金属绝缘基板配合替代传统塑封作为芯片封装的外壳，可通过第一金属绝缘基板以及第二金属绝缘基板对芯片进行散热，能够提高其散热能力，且通过互联线路主体将芯片与外部电路导通，提高了抗跌落能力和抗翘曲能力的同时，也能减小封装装置的尺寸。
[0008]在一些实施例中，所述第二金属绝缘基板包括第一衬底以及与所述第一衬底连接的第一绝缘介质层，所述第一衬底靠近所述第一绝缘介质层的一侧设置有所述金属绝缘焊坝，所述第一绝缘介质层背离所述第一衬底的一侧配置有所述芯片。
[0009]在上述实现的过程中，通过将第二金属绝缘基板设置成第一衬底以及第一绝缘介质层，且在第一绝缘介质层背离第一衬底的一侧设置芯片，相对于传统塑封料能够提高其散热能力，增强了功率器件封装装置的强度。
[0010]在一些实施例中，所述第一绝缘介质层背离所述第一衬底的一侧配置有第一接触点，所述第一接触点用于固定所述芯片，且与所述芯片形成导通。
[0011]在上述实现的过程中，通过在第一绝缘介质层上设置第一接触点，第一接触点与芯片导通，使得信号传输的距离变短，散热通路变短，且高温可靠性增强。
[0012]在一些实施例中，所述第二金属绝缘基板还包括散热件，所述散热件配置于所述
第一绝缘介质层背离所述第一衬底的一侧。
[0013]在上述实现的过程中，通过在第一绝缘介质层上设置散热件，可再次提高功率器件封装装置的散热能力，有利于提高芯片的使用寿命。
[0014]在一些实施例中，第一金属绝缘基板包括第二衬底以及与所述第二衬底连接的第二绝缘介质层，所述第二绝缘介质层被配置为所述芯片背离所述第一绝缘介质层的一侧，所述第二衬底被配置为所述第二绝缘介质层背离所述芯片的一侧。
[0015]在上述实现的过程中，将第一金属绝缘基板设置成第二衬底和第二绝缘介质层，通过与第二金属绝缘基板的配合，能够提高其散热能力，增强了功率器件封装装置的强度。
[0016]在一些实施例中，第一金属绝缘基板还包括填充孔，所述填充孔贯穿所述第二衬底。
[0017]在上述实现的过程中，通过在第一金属绝缘基板上设置填充孔，可通过填充孔对功率器件封装装置填充封装材料，可以提高与第二金属绝缘基板、第一金属绝缘基板的力学匹配性，降低界面热膨胀系数差异。
[0018]在一些实施例中，所述互联线路主体包括第一互联线路，所述第一互联线路配置于所述第一衬底，和/或所述第一绝缘介质层，所述第一互联线路的至少一部分的结构被配置为与所述芯片导通。
[0019]在上述实现的过程中，通过在第一衬底，和/或第一绝缘介质层上设置第一互联线路，可以有效地降低功率器件封装装置的尺寸，并且能够使功率器件封装装置的厚度降低。
[0020]在一些实施例中，所述互联线路主体还包括第二互联线路，所述第二互联线路的至少一部分的结构外露于所述第二绝缘介质层背离所述第二衬底的一侧。
[0021]在上述实现的过程中，通过设置第二互联线路，可以有效地降低功率器件封装装置的尺寸，并且能够使功率器件封装装置的厚度降低。
[0022]在一些实施例中，所述第二互联线路具有间隔设置的第二接触点和第三接触点，所述第二接触点和所述第三接触点均沿所述第二绝缘介质层背离所述第二衬底的方向凸设，且所述第二接触点被配置为与所述第一互联线路接触，所述第三接触点被配置为与所述芯片接触。
[0023]在上述实现的过程中，通过在第二互联线路上设置第二接触点以及第三接触点，其中通过第二接触点与安装部对应设置，能够实现第二金属绝缘基板与第一金属绝缘基板之间固定的同时，也能够实现第二金属绝缘基板与第一金属绝缘基板之间的电连接，且通过第三接触点与芯片的接触，实现第二互联线路与芯片的导通。
[0024]第二方面，本申请还提供一种功率器件的封装方法，应用于如上述任意一项所述的功率器件封装装置，包括：将所述互联线路主体封装于所述第二金属绝缘基板，和/或第一金属绝缘基板；将所述芯片贴装于所述第二金属绝缘基板，使得所述芯片与所述互联线路接触；将第一金属绝缘基板安装于所述第二金属绝缘基板上；对所述功率器件封装装置进行封装。
[0025]在上述实现的过程中，通过在第二金属绝缘基板以及第一金属绝缘基板之间设置芯片，并且使用封装材料对三者进行封装，能够替代传统的塑封料，提高散热能力，提高了功率器件封装装置的强度。
[0026]与现有技术相比，本申请方案的有益效果为：通过将第二金属绝缘基板与第一金
属绝缘基板配合替代传统塑封作为芯片封装的外壳，能够提高其散热能力，提高了抗跌落能力和抗翘曲能力。
附图说明
[0027]为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术使用者来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
[0028]图1是本申请实施例公开的一种功率器件封装装置的结构示意图。
[0029]图2是本申请实施例公开的一种功率器件封装装置的第二金属绝缘基板的正视图。
[0030]图3是本申请实施例公开的一种功率器件封装装置的第二金属绝缘基板的俯视图。
[0031]图4是本申请实施例公开的一种功率器件封装装置的第一金属绝缘基板的正视图。
[0032]图5是本申请实施例公开的一种功率器件封装装置的第一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种功率器件封装装置，其特征在于，包括：第一金属绝缘基板；第二金属绝缘基板，所述第二金属绝缘基板和所述第一金属绝缘基板中的至少一个具有金属绝缘焊坝，以用于所述第一金属绝缘基板与所述第二金属绝缘基板连接时形成对芯片的封装；互联线路主体，对应与所述第一金属绝缘基板，和/或所述第二金属绝缘基板一体化连接，所述互联线路主体具有金属柱体，所述金属柱体的至少一部分的结构被配置于所述第一金属绝缘基板的内部或所述第二金属绝缘基板的内部，且所述互联线路主体与所述芯片连接，以用于所述芯片与外部电路导通；其中所述第一金属绝缘基板与所述第二金属绝缘基板形成整体封装时，两者的整体封装的外形面积不超过所述芯片的面积的0.2倍，整体封装的厚度不超过所述芯片的厚度的一倍。2.根据权利要求1所述的功率器件封装装置，其特征在于，所述第二金属绝缘基板包括第一衬底以及与所述第一衬底连接的第一绝缘介质层，所述第一衬底靠近所述第一绝缘介质层的一侧设置有所述金属绝缘焊坝，所述第一绝缘介质层背离所述第一衬底的一侧配置有所述芯片。3.根据权利要求2所述的功率器件封装装置，其特征在于，所述第一绝缘介质层背离所述第一衬底的一侧配置有第一接触点，所述第一接触点用于固定所述芯片，且与所述芯片形成导通。4.根据权利要求2所述的功率器件封装装置，其特征在于，所述第二金属绝缘基板还包括散热件，所述散热件配置于所述第一绝缘介质层背离所述第一衬底的一侧。5.根据权利要求2所述的功率器件封装装置，其特征在于，第一金属绝缘基板包括第二衬底以及与...

【专利技术属性】
技术研发人员：戴宗倍，李潮，徐小薇，梁朝辉，
申请(专利权)人：中国电子产品可靠性与环境试验研究所工业和信息化部电子第五研究所中国赛宝实验室，
类型：发明
国别省市：