本发明专利技术介绍了一种使用玻璃基板的柔性无芯3D印刷集成电路模压工艺，其包括选择玻璃作为基板；利用激光掩模投影技术，在玻璃上表面形成凹槽；在玻璃基板上表面印制银胶层；再次使用激光掩模投影技术，雕刻出芯片凹槽区域；放置芯片并进行导线连接；封装；对基板底部进行蚀刻，形成衬垫区域；对衬垫区域进行导电金属胶层回填并烧结；基板底部保护，成型。本申请通过将金属基板替换为玻璃基板，解决了基板翘曲变形的技术问题，同时本申请通过使用激光掩模投影技术在形成的凹槽内壁和底部形成更为细小的凹槽和不均匀的粗糙面，能够将银锁定在选定区域内，同时不均匀的粗糙面能够增强银与玻璃表面的附着力，实现回填金属与基板的紧密结合。结合。结合。
【技术实现步骤摘要】
一种使用玻璃基板的柔性无芯3D印刷集成电路模压工艺
[0001]本专利技术属于芯片封装领域，具体涉及一种使用玻璃基板的柔性无芯3D印刷集成电路模压工艺。
技术介绍
[0002]当前封装体最重要的就是底材框架的制作工艺，在3D打印过程中，我们需要一个容器来容纳银膏，以便将银保持在所需的位置。传统的CSI工艺由于需要在极高温下对基板进行预处理和烧结，容易导致金属基板发生翘曲。
[0003]中国专利CN113488395A公开了一种封装体及封装体的封装方法，所述封装体用于装配于耳机中；该封装方法包括：将若干芯片组件一一对应的固定在基板的预设区域上，若干芯片组件呈阵列排布，所述芯片组件包括两个分别用于装配于左耳耳机和右耳耳机的功能模组，两个所述功能模组分设于所述预设区域中轴线的两侧；取塑封模具盖设在所述芯片组件上，以使所述塑封模具和所述基板之间形成塑封腔；取塑封胶注射到所述塑封腔内，以形成包覆所述芯片组件的塑封层；对具有所述塑封层的基板进行切割，得到若干封装体，每个所述封装体内设置有一个所述功能模组，一个所述芯片组件形成的两个所述封装体成镜像对称设置。其专利技术封装体的封装方法能有效减小封装体孔洞形成，制备成本低。但是其封装体基板极其容易在制备的工程中因为弯曲导致损坏。
[0004]中国专利CN105609492B公开了一种积层型半导体封装体的制造方法，更详细而言，涉及一种用以制造多个半导体封装体沿上下方向，依序积层而成的积层型半导体封装体的制造方法。其专利技术的积层型半导体封装体的制造方法利用介置，在第一半导体封装体与第二半导体封装体之间的封装体连接端子焊接第一半导体封装体与第二半导体封装体，同时利用第一半导体封装体与第二半导体封装体之间的接着剂将第一半导体封装体与第二半导体封装体接合。其使用的两个半导体进行结合，这就会导致其结合存在结合处稳定性达不到要求的问题。
[0005]相反，目前的玻璃在芯片制造领域却无人对其进行研究，芯片的高膨胀系数可以使其避免边缘翘曲问题。
[0006]本申请人之前申请的中国专利202111247805.2和中国专利202111246959.X均对其进行了改进，但是其依旧使用是传统的金属材料，如金属银和金属铜，但是基于金属的特性，其边缘翘曲问题依然会存在；而且其外加回填的金属容易从芯片中脱落，即使进行了外部封装，也会导致稳定性变差。
技术实现思路
[0007]为解决上述问题，以求实现基板不会翘曲变形的同时，实现回填金属与基板的紧密结合。
[0008]为达到上述效果，本专利技术设计了一种使用玻璃基板的柔性无芯3D印刷集成电路模压工艺；
[0009]一种使用玻璃基板的柔性无芯3D印刷集成电路模压工艺，其包括；
[0010]S1、选择玻璃作为基板；
[0011]S2、利用激光掩模投影技术，在玻璃上表面形成凹槽；
[0012]S3、在玻璃基板上表面印制银胶层；
[0013]S4、再次使用激光掩模投影技术，雕刻出芯片凹槽区域；
[0014]S5、放置芯片并进行导线连接；
[0015]S6、封装；
[0016]S7、对基板底部进行蚀刻，形成衬垫区域；
[0017]S8、对衬垫区域进行导电金属胶层回填并烧结；
[0018]S9、基板底部保护，成型。
[0019]优选地，所述S2步骤中，所述利用激光掩模投影技术，在玻璃上表面形成凹槽的同时，还需要在凹槽内壁和底部形成更为细小的凹槽和不均匀的粗糙表面。
[0020]优选地，所述S9步骤中，所述基板底部保护主要为采用浸渍或者锡膏技术进行镀锡保护。
[0021]优选地，所述S3步骤中，印制银胶层结构主要使用3D打印方式进行银浆填充，并使用刮条进行刮平，之后进行烧结。
[0022]优选地，所述S3步骤中，银胶层烧结的温度为200
‑
500℃。
[0023]优选地，所述S3步骤中，银胶层烧结的温度为300℃。
[0024]优选地，所述S5步骤中，将芯片放置于芯片凹槽区域，并通过线键应用进行芯片连接。
[0025]优选地，所述S6步骤中，封装面包括顶部和侧面，不包括底部。
[0026]优选地，所述S7步骤中，所述蚀刻技术可以替换为利用激光掩模投影技术。
[0027]优选地，所述S8步骤中，所述导电金属胶层包括银膏或者铜膏。
[0028]本申请的优点和效果如下：
[0029]1、本申请通过将金属基板替换为玻璃基板，由于玻璃的高膨胀系数，它具有承受高温而不产生翘曲的效应，因此特别适用于高温烧结或装配过程中的热处理，同时玻璃也是一种电损耗低的绝缘体，更适用于作为基板材料。
[0030]2、本申请通过使用激光掩模投影技术在形成的凹槽内壁和底部形成更为细小的凹槽和不均匀的粗糙表面，这些更为细小的凹槽设计，能够将银锁定在选定区域内，同时不均匀的粗糙度，能够增强银与玻璃表面的附着力，实现回填金属与基板的紧密结合。
[0031]3、本申请通过在基板底部设置镀锡保护，解决了基底去除后的银变色问题。
[0032]4、本申请通过使用激光掩模投影技术在基板芯片放置区域形成，同时在基板底部进行蚀刻，这使封装体比常规封装体更轻薄，更兼容当前封装体的结构布局。
[0033]5、本申请对基板底面进行蚀刻，形成更大的衬垫，以便于与外部组件连接。
[0034]上述说明仅是本申请技术方案的概述，为了能够更清楚了解本申请的技术手段，从而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本申请的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下以本申请的较佳实施例并配合附图详细说明如后。
[0035]根据下文结合附图对本申请具体实施例的详细描述，本领域技术人员将会更加明了本申请的上述及其他目的、优点和特征。
附图说明
[0036]为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。在所有附图中，类似的元件或部分一般由类似的附图标记标识。附图中，各元件或部分并不一定按照实际的比例绘制。
[0037]图1为本专利技术提供的一种使用玻璃基板的柔性无芯3D印刷集成电路模压工艺图形流程图；
[0038]图2为本专利技术提供的一种使用玻璃基板的柔性无芯3D印刷集成电路模压工艺的流程图；
[0039]图3为本专利技术提供的一种使用玻璃基板的柔性无芯3D印刷集成电路模压工艺的刮胶条使用图。
具体实施方式
[0040]为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。在下面的描述中，提供诸如具体的配置和组件的特定细节仅仅是为了帮助全面本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种使用玻璃基板的柔性无芯3D印刷集成电路模压工艺，其特征在于，其包括；S1、选择玻璃作为基板；S2、利用激光掩模投影技术，在玻璃上表面形成凹槽；S3、在玻璃基板上表面印制银胶层；S4、再次使用激光掩模投影技术，雕刻出芯片凹槽区域；S5、放置芯片并进行导线连接；S6、封装；S7、对基板底部进行蚀刻，形成衬垫区域；S8、对衬垫区域进行导电金属胶层回填并烧结；S9、基板底部保护，成型。2.根据权利要求1所述的一种使用玻璃基板的柔性无芯3D印刷集成电路模压工艺，其特征在于，所述S2步骤中，所述利用激光掩模投影技术，在玻璃上表面形成凹槽的同时，还需要在凹槽内壁和底部形成更为细小的凹槽和不均匀的粗糙表面。3.根据权利要求9所述的一种使用玻璃基板的柔性无芯3D印刷集成电路模压工艺，其特征在于，所述S9步骤中，所述基板底部保护主要为采用浸渍或者锡膏技术进行镀锡保护。4.根据权利要求1所述的一种使用玻璃基板的柔性无芯3D印刷集成电路模压工艺，其特征在于，所述S3步骤中，印制银胶层结构主要使用3D打印方式进行银浆填充，并使用...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨志强，陈健平，
申请(专利权)人：苏州链芯半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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