本申请介绍了一种附合引线框架栅格的柔性无芯3D印刷IC模压工艺，包括集成电路载体工艺流程和集成电路组装工艺流程；所述集成电路载体工艺流程包括：S1、在金属基板上添加遮罩，使用蚀刻技术进行微蚀刻；S2、遮去除罩；S3、回填银膏并在回填后烧结银膏；S4、激光刻槽。所述集成电路组装工艺流程包括：S21、进行模具连接和导线连接并进行封装；S22、背面蚀刻；S23、蓝色墨水打印和图像传输；S24、再次背面蚀刻；S25、进行阻焊膜应用。本申请采用激光打印银浆，速度更快，生产所需产品周期较短，拥有更高的灵活性，便于实际生产；通过工艺优化，对整个封装产品进行创新设计，以使此封装体比常规封装体更轻薄，兼容当前封装体的结构布局。兼容当前封装体的结构布局。兼容当前封装体的结构布局。
【技术实现步骤摘要】
一种附合引线框架栅格的柔性无芯3D印刷IC模压工艺
[0001]本专利技术属于封装体底材框制备工艺领域，具体涉及一种附合引线框架栅格的柔性无芯3D印刷IC模压工艺。
技术介绍
[0002]当前封装体最重要的就是底材框架的制作工艺，在3D打印过程中，我们需要一个容器来容纳银膏，以便将银保持在所需的位置。传统的CSI工艺由于需要在极高温下对基板进行预处理和烧结，容易导致金属基板发生翘曲。
[0003]中国专利CN113488395A公开了一种封装体及封装体的封装方法，所述封装体用于装配于耳机中；该封装方法包括：将若干芯片组件一一对应的固定在基板的预设区域上，若干芯片组件呈阵列排布，所述芯片组件包括两个分别用于装配于左耳耳机和右耳耳机的功能模组，两个所述功能模组分设于所述预设区域中轴线的两侧；取塑封模具盖设在所述芯片组件上，以使所述塑封模具和所述基板之间形成塑封腔；取塑封胶注射到所述塑封腔内，以形成包覆所述芯片组件的塑封层；对具有所述塑封层的基板进行切割，得到若干封装体，每个所述封装体内设置有一个所述功能模组，一个所述芯片组件形成的两个所述封装体成镜像对称设置。其专利技术封装体的封装方法能有效减小封装体孔洞形成，制备成本低。
[0004]中国专利CN105609492B公开了一种积层型半导体封装体的制造方法，更详细而言，涉及一种用以制造多个半导体封装体沿上下方向，依序积层而成的积层型半导体封装体的制造方法。其专利技术的积层型半导体封装体的制造方法利用介置，在第一半导体封装体与第二半导体封装体之间的封装体连接端子焊接第一半导体封装体与第二半导体封装体，同时利用第一半导体封装体与第二半导体封装体之间的接着剂将第一半导体封装体与第二半导体封装体接合。
[0005]但是上述技术特征都是传统的工艺，所需时间周期长，并不适合快速原型制造，而且并不灵活，这就导致了实际生产的不便利以及时间的浪费。
技术实现思路
[0006]为解决上述问题，以求实现基于改进印刷法的快速原型制造，缩短新产品组装周期，节约时间。
[0007]为达到上述效果，本专利技术设计一种附合引线框架栅格的柔性无芯3D印刷IC模压工艺。
[0008]一种附合引线框架栅格的柔性无芯3D印刷IC模压工艺，其包括如下步骤；
[0009]S1、在金属基板上添加遮罩，使用蚀刻技术进行微蚀刻；
[0010]S2、遮去除罩；
[0011]S3、回填银膏并在回填后烧结银膏；
[0012]S4、激光刻槽；
[0013]S5、进行模具连接和导线连接并进行封装；
[0014]S6、背面蚀刻；
[0015]S7、蓝色墨水打印和图像传输；
[0016]S8、再次背面蚀刻；
[0017]S9、进行阻焊膜应用。
[0018]优选地，所述S1
‑
S4步骤为集成电路载体工艺流程，所述S5
‑
S9为集成电路组装工艺流程。
[0019]优选地，所述S1步骤中，使用蚀刻技术进行微蚀刻指的是将所需图案在金属基板上微蚀刻至所需深度，得到图案基板。
[0020]优选地，所述所需深度为10um。
[0021]优选地，所述S3步骤中，回填银膏中，使用打印机将银膏打印到图案基板上；然后进行烧结，将银膏转变为银金属，得到上部为全印银区的基板。
[0022]优选地，所述S4步骤中，利用激光刻槽技术，将全印银区切割成所需的图案，用于装配工艺。
[0023]优选地，所述S5步骤中，将经过S4步骤的基板通过硅酮模具和线键应用进行模具连接工艺，在模具连接和导线粘合应用后，使用模塑化合物进行封装，所述模具连接和导线粘合采用激光布线方式。
[0024]优选地，所述S6步骤中，通过反刻蚀工艺减小基板衬底的厚度，变薄包装。
[0025]优选地，所述S7步骤中，通过蓝墨水打印和图像传输技术在基板背面上形成所需图案。带有蓝色墨水打印的区域将受到化学蚀刻的保护。
[0026]优选地，所述S8步骤中，进一步蚀刻工艺，在基板背面形成所需图案，直到模具复合区域。
[0027]优选地，所述模具底部蚀刻深度达到与模具底面复合。
[0028]优选地，所述模具底部还可以设置传感器，用于SIP封装。
[0029]优选地，所述S9步骤中，将使用阻焊板。基板背面将采用浸渍或锡膏技术进行处理。
[0030]本申请的优点和效果如下：
[0031]1、一种附合引线框架栅格的柔性无芯3D印刷IC模压工艺，采用激光打印银浆，相对于以前的印刷，速度更快。
[0032]2、一种附合引线框架栅格的柔性无芯3D印刷IC模压工艺，本工艺相对于其他工艺，采用激光设备，以及高度的机械化，达到了生产所需产品周期短，拥有更高的灵活性以及更便于实际生产的技术效果。
[0033]3、本申请通过对当前封装体最重要的底材框架的制作工艺优化，以对整个封装产品进行创新设计，以使此封装体比常规封装体更轻薄，兼容当前封装体的结构布局，采用更复杂的流程及布局。
[0034]4、本申请通过蓝色墨水打印和图像传输，以化学方法对一部份的载板进行去除。露出的塑封层将使用阻焊膜覆盖，而暴露的载板或饰面将采用浸渍或锡膏技术加以保护，达到做有效的封装效果。
[0035]5、本申请可以使用单一基板，成为了2层基板的低成本替代方案，节约了基板资源；
[0036]6、本申请减少占地面积并增加I/O配置，获得了更好的热和电性能和MSL1能力；引脚兼容或I/O可兼容，可为SiP和模块定制。
[0037]上述说明仅是本申请技术方案的概述，为了能够更清楚了解本申请的技术手段，从而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本申请的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下以本申请的较佳实施例并配合附图详细说明如后。
[0038]根据下文结合附图对本申请具体实施例的详细描述，本领域技术人员将会更加明了本申请的上述及其他目的、优点和特征。
附图说明
[0039]为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。在所有附图中，类似的元件或部分一般由类似的附图标记标识。附图中，各元件或部分并不一定按照实际的比例绘制。
[0040]图1为一种附合引线框架栅格的柔性无芯3D印刷IC模压工艺的集成电路载体工艺流程图；
[0041]图2为一种附合引线框架栅格的柔性无芯3D印刷IC模压工艺的集成电路载体工艺流程每一步的状态图；
[0042]图3为一种附合引线框架栅格的柔性无芯3D印刷IC模压工艺的集成电路组装工艺流程图(LFGA
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引线框架网格阵列)；
[0043]图4为一种附合引线框架栅格的柔性无芯3D印刷IC模压工艺本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种附合引线框架栅格的柔性无芯3D印刷IC模压工艺，其特征在于，其包括如下步骤；S1、在金属基板上添加遮罩，使用蚀刻技术进行微蚀刻；S2、遮去除罩；S3、回填银膏并在回填后烧结银膏；S4、激光刻槽；S5、进行模具连接和导线连接并进行封装；S6、背面蚀刻；S7、蓝色墨水打印和图像传输；S8、再次背面蚀刻；S9、进行阻焊膜应用。2.根据权利要求1所述的一种附合引线框架栅格的柔性无芯3D印刷IC模压工艺，其特征在于，所述S1步骤中，使用蚀刻技术进行微蚀刻指的是将所需图案在金属基板上微蚀刻至所需深度，得到图案基板。3.根据权利要求2所述的一种附合引线框架栅格的柔性无芯3D印刷IC模压工艺，其特征在于，所述所需深度为10um。4.根据权利要求1所述的一种附合引线框架栅格的柔性无芯3D印刷IC模压工艺，其特征在于，所述S3步骤中，回填银膏中，使用打印机将银膏打印到图案基板上；然后进行烧结，将银膏转变为银金属，得到上部为全印银区的基板。5.根据权利要求1所述的一种附合引线框架栅格的柔性无芯3D印刷IC模压工艺，其特征在于，所述S4步骤中，利用激光...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨志强，陈健平，
申请(专利权)人：苏州链芯半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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