半导体电路制造工艺、后固化设备和半导体电路生产线制造技术

本发明专利技术公开一种半导体电路制造工艺、后固化设备和半导体电路生产线，其中，半导体电路制造工艺包括：将经密封封装后的半成品进行切筋成型处理；将切筋成型后的半成品进行后固化处理，并在后固化处理过程中对所述半成品进行所述高温电参数测试；将经所述高温电参数测试确定合格的半成品进行打标处理。本发明专利技术技术方案，有效提升了半导体电路的生产效率。有效提升了半导体电路的生产效率。有效提升了半导体电路的生产效率。

【技术实现步骤摘要】
半导体电路制造工艺、后固化设备和半导体电路生产线


[0001]本专利技术涉及功率半导体领域，特别涉及一种半导体电路制造工艺、后固化设备和半导体电路生产线。

技术介绍

[0002]半导体电路是一种将电力电子和集成电路技术结合的功率驱动类产品，智能功率模块(IPM)就是半导体电路的一种。现有的半导体电路制造过程通常为：1、在电路基板上装配好电路元件(包括芯片和阻容件)和引线框架；2、经过回流炉回流焊接固定电路基板上的电路元件和引线框架；3、进行清洗及邦线；4、通过树脂密封封装电路基板得到半成品；5、对半成品进行后固化处理；6、激光打标；7、切筋成型；8、电参数测试(包括常温电参数测试和高温电参数测试)。在上述半导体电路制造过程中，电参数测试工序包括依次进行的常温电参数测试和高温电参数测试，测试时间较长，导致半导体电路的生产效率较低。

技术实现思路

[0003]本专利技术的主要目的是提供一种半导体电路制造工艺，旨在提升半导体电路的生产效率。
[0004]为实现上述目的，本专利技术提出的半导体电路制造工艺，包括：
[0005]将经密封封装后的半成品进行切筋成型处理；
[0006]将切筋成型后的半成品进行后固化处理，并在后固化处理过程中对所述半成品进行所述高温电参数测试；
[0007]将经所述高温电参数测试确定合格的半成品进行打标处理。
[0008]优选地，所述在后固化处理过程中对所述半成品进行高温电参数测试的步骤，包括：
[0009]检测固化过程中的环境温度；<br/>[0010]在检测到环境温度恒定后，对所述半成品进行高温电参数测试。
[0011]优选地，所述在后固化处理过程中对所述半成品进行高温电参数测试的步骤，包括：
[0012]检测固化过程中的环境温度；
[0013]在检测到环境温度达到预设值后，对所述半成品进行高温电参数测试。
[0014]优选地，所述半导体电路的制造工艺还包括：
[0015]将经所述高温电参数测试确定不合格的半成品下线。
[0016]优选地，在将经所述高温电参数测试合格的半成品进行打标处理的步骤之后，所述半导体电路的制造工艺还包括：
[0017]对打标处理后得到的成品进行常温电参数测试；
[0018]将经所述常温电参数测试确定合格的成品打包入库。
[0019]优选地，在所述将经密封封装后的半成品进行切筋成型处理的步骤之前，所述半
导体电路的制造工艺还包括：
[0020]在电路基板上装配电路元件和定位引线框架；
[0021]回流炉回流及焊接检测；
[0022]清洗及邦线；
[0023]塑封模具密封封装。
[0024]本专利技术进一步提出一种半导体电路生产线的后固化设备，包括后固化装置和高温电参数测试装置，所述后固化装置用于对切筋成型后的半成品进行固化处理，所述高温电参数测试装置用于测试所述后固化装置中正在进行固化处理的半成品的电参数。
[0025]优选地，所述高温电参数测试装置包括相互电连接的测试模块和温度检测模块，所述温度检测模块用于检测所述后固化装置中的环境温度，所述测试模块用于在所述温度检测模块检测到温度恒定或温度达到预设值后，测试所述后固化装置中正在进行固化处理的半成品的电参数。
[0026]优选地，所述后固化设备还包括与所述测试模块电连接的分流装置，所述后固化装置的具有两个输出通道，所述分流装置用于将经所述测试模块测试合格的半成品与测试不合格的半成品分别移送到不同的输出通道。
[0027]本专利技术进一步还提出一种半导体电路生产线，包括后固化设备，所述后固化设备包括后固化装置和高温电参数测试装置，所述后固化装置用于对切筋成型后的半成品进行固化处理，所述高温电参数测试装置用于测试所述后固化装置中正在进行固化处理的半成品的电参数。
[0028]本专利技术半导体电路制造工艺技术方案，采用在后固化处理之前，先进行切筋成型处理以得到引脚独立的半成品，再对引脚独立的半成品进行后固化处理，并在后固化处理过程中，对半成品进行高温电参数测试，筛选出合格的半成品输送到打标设备进行打标处理。相较于现有技术的制造工艺而言，本专利技术半导体电路制造工艺的高温电参数测试在后固化过程中即完成，省去了在打标处理后的高温电参数测试工序，从而缩短了半导体电路制造工艺的整体时长，提升了半导体电路生产效率；并且，只将通过高温电参数测试筛选出的合格的半成品才送入打标处理，减少了打标处理的半成品数量，进一步提升了半导体电路的生产效率。
附图说明
[0029]图1为本专利技术一实施例中的半导体电路制造工艺的流程示意图；
[0030]图2为本专利技术一实施例中的半导体电路制造工艺的流程示意图；
[0031]图3为本专利技术一实施例中的半导体电路制造工艺的流程示意图；
[0032]图4为本专利技术一实施例中的半导体电路制造工艺的流程示意图；
[0033]图5为本专利技术一实施例中的半导体电路制造工艺的流程示意图；
[0034]图6为本专利技术一实施例中的半导体电路制造工艺的流程示意图；
[0035]图7为本专利技术一实施例中的后固化设备的结构示意图。
具体实施方式
[0036]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完
整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0037]需要说明，本专利技术实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后......)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。
[0038]还需要说明的是，当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件上时，它可以直接在另一个元件上或者可能同时存在居中元件。当一个元件被称为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接另一个元件或者可能同时存在居中元件。
[0039]另外，在本专利技术中涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本专利技术要求的保护范围之内。
[0040]本专利技术提到的半导体电路，是一种将功率开关器件和高压驱动电路等集成在一起，并在外表进行密封封装的一种电路模块，在电力电子领域应用广泛，如驱动电机的变频器、各种逆变电压、变频调速、冶金机械、电力牵引、变频家电等领域应用。这里的半导体电路还有多种其他的名称，如模块化智能功率系统(Modular Intell本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体电路制造工艺，其特征在于，包括：将经密封封装后的半成品进行切筋成型处理；将切筋成型后的半成品进行后固化处理，并在后固化处理过程中对所述半成品进行所述高温电参数测试；将经所述高温电参数测试确定合格的半成品进行打标处理。2.根据权利要求1所述的半导体电路制造工艺，其特征在于，所述在后固化处理过程中对所述半成品进行高温电参数测试的步骤，包括：检测固化过程中的环境温度；在检测到环境温度恒定后，对所述半成品进行高温电参数测试。3.根据权利要求1所述的半导体电路制造工艺，其特征在于，所述在后固化处理过程中对所述半成品进行高温电参数测试的步骤，包括：检测固化过程中的环境温度；在检测到环境温度达到预设值后，对所述半成品进行高温电参数测试。4.根据权利要求1所述的半导体电路的制造工艺，其特征在于，所述半导体电路的制造工艺还包括：将经所述高温电参数测试确定不合格的半成品下线。5.根据权利要求1所述的半导体电路制造工艺，其特征在于，在将经所述高温电参数测试合格的半成品进行打标处理的步骤之后，所述半导体电路的制造工艺还包括：对打标处理后得到的成品进行常温电参数测试；将经所述常温电参数测试确定合格的成品打包入库。6.根据权利要求1所述的半...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯宇翔，左安超，张土明，谢荣才，
申请(专利权)人：广东汇智精密制造有限公司，
类型：发明
国别省市：