半导体装置的制造方法及半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术的目的在于提供能够降低制造成本的半导体装置的制造方法及半导体装置。本发明专利技术涉及的半导体装置的制造方法具有以下工序：工序(a)，准备具有开关元件用管芯焊盘、控制元件用管芯焊盘和第3边侧梁部的引线框；工序(b)，在开关元件用管芯焊盘载置开关元件以及二极管元件，在控制元件用管芯焊盘载置对开关元件进行控制的控制元件；工序(c)，以功率侧端子、控制侧端子和第3边侧梁部的一部分凸出至外部的方式，通过模塑树脂对开关元件、二极管元件以及控制元件进行封装；以及工序(d)，从第3边侧梁部切出而形成从第3边侧梁部的一部分延伸出来的第3边侧梁端子。出来的第3边侧梁端子。出来的第3边侧梁端子。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置的制造方法及半导体装置


[0001]本专利技术涉及半导体装置的制造方法及半导体装置。

技术介绍

[0002]当前，公开了具有从引线框的4个侧面各自延伸至外部的引线端子的半导体装置(例如，参照专利文献1)。
[0003]专利文献1：日本特开2014
‑
93303号公报
[0004]在专利文献1中，与具有仅从引线框的4个侧面中的相对的2个侧面延伸至外部的引线端子的结构相比，能够使模塑树脂部小型化。但是，由于是引线端子还从相对的2个侧面以外的侧面延伸至外部的结构，因此，引线框的尺寸变大。因此，能够设置于1片引线框的半导体装置的数量减少，因此，能够一起生产的半导体装置的数量减少，存在半导体装置的制造成本升高的问题。

技术实现思路

[0005]本专利技术就是为了解决这样的问题而提出的，其目的在于提供能够降低制造成本的半导体装置的制造方法及半导体装置。
[0006]为了解决上述课题，本专利技术涉及的半导体装置的制造方法具有以下工序：工序(a)，准备引线框，该引线框具有与在俯视观察时的第1边侧配置的功率侧端子连接的开关元件用管芯焊盘、连接至在与第1边相对的第2边侧配置的控制侧端子的控制元件用管芯焊盘和在与第1边以及第2边不同的第3边侧设置的第3边侧梁部；工序(b)，在开关元件用管芯焊盘载置开关元件以及二极管元件，在控制元件用管芯焊盘载置对开关元件进行控制的控制元件；工序(c)，以功率侧端子、控制侧端子和第3边侧梁部的一部分凸出至外部的方式，通过模塑树脂对开关元件、二极管元件以及控制元件进行封装；以及工序(d)，从第3边侧梁部切出而形成从第3边侧梁部的一部分延伸出来的第3边侧梁端子。
[0007]专利技术的效果
[0008]根据本专利技术，半导体装置的制造方法具有从第3边侧梁部切出而形成从第3边侧梁部的一部分延伸出来的第3边侧梁端子的工序，因此能够降低制造成本。
附图说明
[0009]图1是表示实施方式1涉及的半导体装置的结构的一个例子的剖视图。
[0010]图2是表示实施方式1涉及的半导体装置的结构的一个例子的俯视图。
[0011]图3是表示实施方式1涉及的半导体装置的结构的一个例子的电路图。
[0012]图4是表示实施方式1涉及的半导体装置的制造工序的一个例子的流程图。
[0013]图5是表示实施方式1涉及的半导体装置的制造工序的一个例子的俯视图。
[0014]图6是表示实施方式1涉及的半导体装置的制造工序的一个例子的俯视图。
[0015]图7是表示实施方式1涉及的半导体装置的外观的一个例子的俯视图。
[0016]图8是表示实施方式1涉及的半导体装置的外观的一个例子的侧视图。
[0017]图9是表示实施方式2涉及的半导体装置的制造工序的一个例子的俯视图。
[0018]图10是表示实施方式2涉及的半导体装置的外观的一个例子的俯视图。
[0019]图11是表示实施方式2涉及的半导体装置的外观的一个例子的侧视图。
[0020]图12是表示实施方式2涉及的半导体装置的外观的一个例子的俯视图。
[0021]图13是表示实施方式3涉及的半导体装置的外观的一个例子的俯视图。
[0022]图14是表示实施方式3涉及的半导体装置的外观的一个例子的侧视图。
[0023]图15是表示实施方式4涉及的半导体装置的外观的一个例子的俯视图。
[0024]图16是表示实施方式4涉及的半导体装置的外观的一个例子的侧视图。
[0025]图17是表示实施方式5涉及的半导体装置的制造工序的一个例子的俯视图。
[0026]图18是表示实施方式5涉及的半导体装置的外观的一个例子的俯视图。
[0027]图19是表示实施方式5涉及的半导体装置的外观的一个例子的侧视图。
[0028]图20是用于对实施方式5涉及的半导体装置的效果进行说明的图。
[0029]图21是用于对实施方式5涉及的半导体装置的效果进行说明的图。
具体实施方式
[0030]＜实施方式1＞
[0031]图1是表示实施方式1涉及的半导体装置的结构的一个例子的剖视图。图2是表示实施方式1涉及的半导体装置的结构的一个例子的俯视图。图3是表示实施方式1涉及的半导体装置的结构的一个例子的电路图。
[0032]如图1～3所示，半导体装置具有：开关元件即功率芯片5；二极管元件即续流二极管6；控制元件即IC 2(高压IC 9、低压IC 10)，其对功率芯片5进行控制；以及自举二极管3。如图2所示，沿纸面的上下方向分别设置有6个功率芯片5、6个续流二极管6以及3个自举二极管3。
[0033]功率芯片5以及续流二极管6载置于功率芯片用管芯焊盘11，在功率芯片用管芯焊盘11连接有功率侧端子4。此外，功率侧端子4包含P端子、U端子、V端子、W端子、NU端子、NV端子以及NW端子。
[0034]IC 2载置于IC用管芯焊盘13，自举二极管3载置于控制元件用管芯焊盘12，在IC用管芯焊盘13以及控制元件用管芯焊盘12各自连接有控制侧端子1。此外，控制侧端子1包含VS(U)端子、VB(U)端子、VS(V)端子、VB(V)端子、VS(W)端子、VB(W)端子、UP端子、VP端子、WP端子、VCC端子、GND端子、UN端子、VN端子、WN端子、第1功能端子以及第2功能端子。
[0035]功率芯片5、续流二极管6以及IC 2通过导线7而连接。另外，功率芯片5、续流二极管6、IC 2以及自举二极管3被模塑树脂8封装。功率侧端子4以及控制侧端子1在模塑树脂8处从相对的侧面凸出至外部。这样，实施方式1涉及的半导体装置是被模塑树脂8封装的在大功率用途中使用的电力用半导体装置。
[0036]图4是表示实施方式1涉及的半导体装置的制造工序的一个例子的流程图。此外，图4所示的步骤S1、步骤S2以及步骤S3的顺序不限于此，可以是任意的顺序。
[0037]在步骤S1的功率芯片管芯键合工序中，如图5所示，在功率芯片用管芯焊盘11之上载置功率芯片5，将功率芯片5与功率芯片用管芯焊盘11电连接。功率芯片用管芯焊盘11是
引线框14的一部分。
[0038]在步骤S2的二极管管芯键合工序中，如图5所示，在功率芯片用管芯焊盘11之上载置续流二极管6，将续流二极管6与功率芯片用管芯焊盘11电连接。
[0039]在步骤S3的IC管芯键合工序中，如图5所示，在IC用管芯焊盘13之上载置高压IC 9以及低压IC 10，将高压IC 9以及低压IC 10与IC用管芯焊盘13电连接。IC用管芯焊盘13是引线框14的一部分。
[0040]此外，在控制元件用管芯焊盘12之上载置自举二极管3，将自举二极管3与控制元件用管芯焊盘12电连接的工序可以在步骤S2或者步骤S3的任意者中进行。
[0041]在步骤S4的导线键合工序中，如图5所示，通过导线7而将功率芯片5与续流二极管6、将功本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置的制造方法，其具有以下工序：工序(a)，准备引线框，该引线框具有与在俯视观察时的第1边侧配置的功率侧端子连接的开关元件用管芯焊盘、连接至在与所述第1边相对的第2边侧配置的控制侧端子的控制元件用管芯焊盘和在与所述第1边以及所述第2边不同的第3边侧设置的第3边侧梁部；工序(b)，在所述开关元件用管芯焊盘载置开关元件以及二极管元件，在所述控制元件用管芯焊盘载置对所述开关元件进行控制的控制元件；工序(c)，以所述功率侧端子、所述控制侧端子和所述第3边侧梁部的一部分凸出至外部的方式，通过模塑树脂对所述开关元件、所述二极管元件以及所述控制元件进行封装；以及工序(d)，从所述第3边侧梁部切出而形成从所述第3边侧梁部的一部分延伸出来的第3边侧梁端子。2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，所述引线框在与所述第3边相对的第4边侧具有第4边侧梁部，在所述工序(c)中，以所述第4边侧梁部的一部分凸出至外部的方式通过所述模塑树脂进行封装，在所述工序(d)中，从所述第4边侧梁部切出而形成从所述第4边侧梁部的一部分延伸出来的第4边侧梁端子。3.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其中，所述第3边侧梁端子不与所述第4边侧梁端子相对。4.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，所述第3边侧梁端子是为了对应于新追加的功能而形成的端子。5.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其中，所述第4边侧梁端子是为了对应于新追加的功能而形成的端子。6.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，所述引线框具有载置IC的IC用管芯焊盘、将所述IC用管芯焊盘与所述第3边侧梁部连接的悬吊部，在所述工序(c)中，以所述悬吊部凸出至外部的方式通过所述模塑树脂进行封装，在所述工序(d)中，从所述第3边侧梁部...

【专利技术属性】
技术研发人员：横山脩平，中村宏之，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：