【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及氮化物系半导体元件的制造方法及氮化物半导体元件。
技术介绍
氮化物系半导体元件，作为下一代的大容量光盘用光源所使用的半导体激光元件等，其开发正在兴盛起来。例如，可以参照国际公开公报WO 03/038957A1。氮化物系半导体元件，可通过在氮化物系半导体基板上利用有机金属气相堆积法使氮化物系半导体各层进行结晶成长来制造。图1是示意性地表示氮化物系半导体基板的立体图。氮化物系半导体基板1701由贯通其表面1702和背面1703的条状的结晶缺陷集中的位错集中区域1704、1705、1706、1707和正常的结晶区域构成的非位错集中区域1708、1709、1710构成。非位错集中区域1708、1709、1710的宽度、即位错集中区域之间的间隔例如约为400μm。在该氮化物系半导体基板1701的表面1702上，例如利用有机金属气相堆积法(MOCVDMetalorganic Chemical Vapor Deposition)使氮化物系半导体进行结晶成长，得到氮化物系半导体的层叠结构。图2是从与位错集中区域的延长方向成直角的方向看所得到的现有的氮化物系半导体...
【技术保护点】
一种氮化物系半导体元件的制造方法，该氮化物系半导体元件使用了条状的位错集中区域和非位错集中区域交互地存在、位错集中区域从表面贯通到背面的氮化物系半导体基板，其特征在于：包括以下的工序：层叠工序，在所述氮化物系半导体基板的非位错集中区 域的表面上层叠氮化物系半导体层；槽形成工序，在氮化物系半导体基板的表面上、在沿着所述位错集中区域的附近的非位错集中区域形成槽；在此，该槽形成工序在所述层叠工序之前进行。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：狩野隆司，山口勤，伊豆博昭，畑雅幸，野村康彦，
申请(专利权)人：三洋电机株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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