氮化物半导体激光元件制造技术

本发明专利技术氮化物半导体激光元件，为了提供能够精确控制ｐ侧欧姆电极与ｐ型接触层之间的接触宽度且可靠性高的氮化物半导体激光元件，备有，在基板上依次形成的ｎ型氮化物半导体层、活性层及ｐ型氮化物半导体层；该ｐ型氮化物半导体层，包含最上层的ｐ型接触层在内形成有一脊部，且该脊部上面的ｐ型接触层上形成有一ｐ侧欧姆电极；又形成有第１绝缘膜，其于脊部上面有开口部，并覆盖脊部的侧面及该侧面外侧附近；并形成ｐ侧欧姆电极，其是介以开口部形成为与ｐ型接触层相接；进一步形成第２绝缘膜于第１绝缘膜之上方。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
技术領域本专利技术与氮化物半导体(AlbIncGa1-b-cN、0≤b、0≤c、b+c＜1)所构成的激光元件有关。然而，以往的氮化物半导体激光元件，除端面以外覆盖全部氮化物半导体的绝缘膜，为了保护元件必須有一定以上的膜厚，因此难以在脊部上面精确地形成开口部，存在难以精确控制p侧欧姆电极与p型接触层接触宽度的問题。因此难以制造元件特性品质稳定的激光元件。并且，激光元件通电时产生的热使得垫整电极的Au逐渐往下层扩散，有元件特性劣化的同题。尤其是激光元件面朝下接合封装时，面朝下接合的加热温度为350℃左右，故Au易发生扩散，元件特性显著劣化。为成上述目的，本专利技术为一种氮化物半导体激光元件，具备在基板上依次形成的n型氮化物半导体层、活性层及p型氮化物半导体层；该p型氮化物半导体层中以至少包括最上层的p型接触层之方式形成有脊部，且与脊部上面的p型接触层做欧姆接触的p侧欧姆电极，是与谐振方向大自平行地形成，其特征在于形成有第1绝缘膜，其是于前述脊部上面具有开口部，并至少覆盖前述脊部的侧面及该侧面外侧附近；所形成的前述p侧欧姆电极是介以前述开口部与前述p型接触层相接；前述第1绝缘膜之上进一步形成本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氮化物半导体激光元件，具备在基板上依次形成的ｎ型氮化物半导体层、活性层及ｐ型氮化物半导体层；该ｐ型氮化物半导体层中以至少包括最上层的ｐ型接触层之方式形成有脊部，且与脊部上面的ｐ型接触层做欧姆接触的ｐ侧欧姆电极，是与谐振方向大自平行地形成，其特征在于： 形成有第１绝缘膜，其是于前述脊部上面具有开口部，并至少覆盖前述脊部的侧面及该侧面外侧附近；所形成的前述ｐ侧欧姆电极是介以前述开口部与前述ｐ型接触层相接； 前述第１绝缘膜之上进一步形成有第２绝缘膜。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：佐野雅彦，
申请(专利权)人：日亚化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]