温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明氮化物半导体激光元件，为了提供能够精确控制ｐ侧欧姆电极与ｐ型接触层之间的接触宽度且可靠性高的氮化物半导体激光元件，备有，在基板上依次形成的ｎ型氮化物半导体层、活性层及ｐ型氮化物半导体层；该ｐ型氮化物半导体层，包含最上层的ｐ型接触层在内...
该专利属于日亚化学工业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过日亚化学工业株式会社授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。