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半导体激光器及其制造方法技术

技术编号:3315114 阅读:124 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种半导体激光器器件,其中在一个半导体衬底上平行地排列多个半导体激光器层,其中: 彼此邻近的两个半导体激光器层中的一个在它的最下层中具有与其他半导体激光器层的缓冲层同时形成的缓冲层。(*该技术在2023年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种能够在一个半导体衬底上形成多个半导体激光器的半导体激光器的制造方法。
技术介绍
近年来,光盘已经被广泛推广,而且已有许多不同的记录。当光学地读出不同规格的光盘时,需要不同规格的激光器。例如,为了读出CD(压缩光盘)和DVD(数字化视频光盘)两种类型的光盘,需要发射波长在780nm和780nm左右的红外激光器和发射波长在650nm和650nm左右的红光激光器。在上述情况下,需要一种能够在一个封装中发射两种波长激光束的半导体激光器,以减小拾取器尺寸并降低拾取器成本。而且,除光盘外,需要一种半导体激光器,能够在一个封装中发射两个波长的激光束,或即使在相同波长下发射低输出应用和高输出应用的两种激光,用于激光打印机和可重写光盘。而且,可以考虑相同波长和相同输出的双光束激光器件。为了满足上述要求,开发了把两个半导体激光器集成到一个半导体衬底上的技术。但是,当在单个半导体衬底上形成两种不同特性的激光器时,通过一次晶体生长实现这种器件常常是不可能的。因此,使用在单一半导体衬底上进行多次晶体生长的方法。也就是,在半导体衬底上在先晶体生长一个激光器结构,在其上叠置生长形成另一个激光本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:宫嵜启介和田一彦森本泰司
申请(专利权)人:夏普公司
类型:发明
国别省市:

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