蓝宝石基氮化物芯片减薄划片的方法技术

一种蓝宝石基氮化物芯片减薄划片的方法，其特征是采用气相传输平衡技术，通过锂离子的扩散，使氧化锂（Ｌｉ↓［２］Ｏ）与蓝宝石（α－Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］）发生固相反应，变成铝酸锂（γ－ＬｉＡｌＯ↓［２］），然后再进行减薄、划片和裂片。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种。减薄划片是GaN/蓝宝石LED芯片切割的重要步骤。
技术介绍
以GaN为代表的宽带隙III-V族化合物半导体材料正在受到越来越多的关注，它们将在蓝、绿光发光二极管(LEDs)和激光二极管(LDs)、高密度信息读写、水下通信、深水探测、激光打印、生物及医学工程、超高速微电子器件和超高频微波器件方面具有广泛的应用前景。当前，超高亮度的GaN/蓝宝石LED在室内外的彩色显示、交通信号指示、LED背景光源以及白色照明光源等方面的应用越来越广泛，其生产规模迅速地扩大。在生产过程中，GaN/蓝宝石LED芯片切割问题成为阻碍其生产成本进一步降低的瓶颈之一。由于GaN/蓝宝石比一般的GaAs、GaP等化合物半导体材料坚硬得多，采用砂轮刀具切割的磨损量极大，切入量也很小。一般采用金刚石刀具对GaN/蓝宝石LED芯片进行切割。切割一般分为划片和裂片两步首先用装有金刚石刀具的设备按照芯片图形尺寸进行划片，然后再用另一台设备精确对准划片刀痕，通过一个能够产生剪切应力的专用装置，在刀痕处将芯片裂开。在划片与裂片之前还必须对GaN/蓝宝石电极片的蓝宝石衬底进行研磨减薄和抛光，减薄的最终厚本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：徐军，彭观良，周圣明，周国清，蒋成勇，王海丽，李抒智，赵广军，张俊计，刘军芳，邹军，王银珍，吴锋，庄漪，
申请(专利权)人：中国科学院上海光学精密机械研究所，
类型：发明
国别省市：