具有量子井结构的半导体元件和半导体元件的形成方法技术

半导体元件（１）包含具有量子井结构的活性区域（３）。活性区域（３）包含井区域（５）和阻挡区域（７）。井区域（５）由含有氮、铟和镓的Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体组成。阻挡区域（７ａ）具有第一半导体层（９ａ）和第二半导体层（１１ａ）。第一半导体层（９ａ），由至少含有氮、铟和镓的Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体组成。第二半导体层（１１ａ），由至少含有氮和镓的Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体组成。第一半导体层（９ａ）被设置在第二半导体层（１１ａ）与井区域（５）之间。第一半导体层（９ａ）的铟组成，比第二半导体层（１１ａ）的铟组成小。第一半导体层（９ａ）的铟组成比井区域的铟组成小。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及。
技术介绍
文献1(特开2001-168471号公报)中记载了一种氮化物半导体激光元件。在氮化物半导体激光元件中，在具有量子井结构的活性层内的井层和阻挡层之间全部形成中间层。这种中间层由比阻挡层带隙能量大的AldGa1-dN(0.30≤d≤1)组成。通过追加中间层能够使氮化物半导体激光元件的阈值和驱动电压降低。这种氮化物半导体激光元件中，在由含有铟的氮化物半导体组成的井层与阻挡层之间，形成由比阻挡层带隙能量大的AlGaN组成的中间层，以改善氮化物半导体激光元件的发光效率。文献2(特开平10-84132号公报)中记载了一种称作半导体激光器和发光二极管的半导体发光元件。这种半导体发光元件具备超晶格结构的发光区域，这种发光区域中，在量子井层与阻挡层之间形成有缓冲层。在量子井层与缓冲层之间的电位势垒，比缓冲层的无量子井层与阻挡层之间的电位势垒小。缓冲层形成得实质上不会变成阻挡层。由于缓冲层的晶格常数是在量子井层的晶格常数与缓冲层的晶格常数之间，所以能够缓和在阻挡层与量子井层的晶格常数之差引起的应力。在这种半导体发光元件中，量子井层由InXGa1-XN(0＜X)组成，而缓冲本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有量子井结构的半导体元件的形成方法，其中具备：　　　　在第一温度下形成由含有氮、铟和镓的Ⅲ－Ⅴ族氮化物半导体组成的井膜的工序，　　　　在所述井膜上形成由含有氮、铟和镓的Ⅲ－Ⅴ族氮化物半导体组成的第一阻挡膜的工序，　　　　形成所述第一阻挡膜后，不进行成膜而变更温度的工序，和　　　　该温度的变化完成后，在高于所述第一温度的第二温度下，在所述第一阻挡膜上形成由Ⅲ－Ⅴ族氮化物半导体组成的第二阻挡膜的工序；　　　　在高于所述第一温度并低于所述第二温度的第三温度下形成所述第一阻挡膜，　　　　所述第一阻挡膜的铟组成比所述井膜的铟组成小。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：京野孝史，上野昌纪，秋田胜史，
申请(专利权)人：住友电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]