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半导体元件（１）包含具有量子井结构的活性区域（３）。活性区域（３）包含井区域（５）和阻挡区域（７）。井区域（５）由含有氮、铟和镓的Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体组成。阻挡区域（７ａ）具有第一半导体层（９ａ）和第二半导体层（１１ａ）。第一半导体层（９ａ...
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