半导体发光元件及其制造方法技术

半导体发光元件（ＬＥ１），具有生成光的多层构造体ＬＳ。该多层构造体包含层叠的多个化合物半导体层（３－８），并具有相向的第１及第２主表面（６１、６２）。在第１主表面上配置第１电极（２１），在第２主表面上配置第２电极（３１）。在第１主表面上还以覆盖第１电极的方式形成由氧化硅构成的膜（１０）。对由多层构造体生成的光呈现光学透明的玻璃板（１），利用由氧化硅构成的膜固定在多层构造体上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及。
技术介绍
近年来，随着CPU的驱动频率的高速化(例如，10GHz以上)，以光传输系统装置内及装置间的信号的光学互连技术受到注目。在该光学互连技术中使用半导体发光元件及称为半导体发光元件的光半导体元件。日本专利公开平2-128481号公报、日本专利公开平10-200200号公报及日本专利公开平11-46038号公报中，公开有具有基板、及层叠在基板一侧的主表面上的多个化合物半导体层，且从基板另一侧的主表面出射光线的所谓背面出射型半导体发光元件。在这些半导体发光元件中，根据下述目的，使基板中位于发光区域下方的部分局部变薄，另外，以包围该部分的方式形成维持基板厚度的部分。其中，第1目的在于，防止依基板的光吸收的光信号劣化或消失。第2目的在于，在通过引线接合(wire bonding)或凸块接合(bump bonding)将半导体发光元件安装于外部基板上时，防止半导体发光元件受到打击或破损。
技术实现思路
但是，在上述半导体发光元件中，因为存在维持基板厚度的部分，因此要使半导体发光元件小型化是有限度的。尤其是在合并设置多个发光部以形成发光元件阵列的情况下，难以使发光部间的间距本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体发光元件，其特征在于，具有：包括被层叠的多个化合物半导体层，具有相向的第１及第２主表面，并生成光的多层构造体；配置在所述多层构造体的所述第１主表面上的第１电极；配置在所述多层构造体的所述第２主表面上的第２电 极；以覆盖所述第１电极的方式形成在所述多层构造体的所述第１主表面上的、由氧化硅构成的膜；及对于由所述多层构造体生成的所述光呈光学透明，并通过所述由氧化硅构成的膜固定在所述多层构造体上的玻璃基板。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：田中章雅，
申请(专利权)人：浜松光子学株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]