化合物半导体器件及其制造方法技术

化合物半导体器件及其制造方法。该方法包括在衬底上涂覆多个球形球并在其上涂覆有球形球的衬底上选择性生长化合物半导体薄膜。整个过程可以被简化，并且与外延横向过生长（ＥＬＯ）法相比可以在短时间内生长高质量的化合物半导体薄膜。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种化合物半导体器件，包含：衬底；排列在衬底上的第一多个球形球；和第一化合物半导体薄膜，其配置在球形球之间及其上，该化合物半导体薄膜发射紫外（ＵＶ）光、可见（Ｖ）光和红外（ＩＲ）光中的一种。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李奎哲，安星振，金容进，李东键，
申请(专利权)人：希特隆股份有限公司，乐金显示有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]