存储器装置包括：单元区域，在单元区域中设置了多条字线、多条位线以及连接到多条字线和多条位线的多个存储器单元，多个存储器单元中的每一个包括彼此串联连接的双向阈值开关元件和存储器元件；以及外围电路区域，其包括至少一个外围电路，至少一个外围电路被配置为将导通双向阈值开关元件的第一刷新电压输入到多个存储器单元之中的至少一些刷新单元中的每一个以执行刷新操作，在导通双向阈值开关元件的同时将刷新单元中的每一个确定为处于第一状态的第一刷新单元或者处于第二状态的第二刷新单元，并且将与第一刷新电压不同的第二刷新电压输入到第二刷新单元。二刷新电压输入到第二刷新单元。二刷新电压输入到第二刷新单元。
【技术实现步骤摘要】
存储器装置
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2020年10月14日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10
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2020
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0132573的权益，该申请的全部公开内容出于所有目的以引用方式并入本文中。
[0003]本专利技术构思涉及一种存储器装置。
技术介绍
[0004]存储器装置可以提供写和擦除数据或者读记录数据的功能。存储器装置可以包括多个存储器单元，并且通过调整存储器单元中的每一个的阈值电压来编程或擦除数据。存储器单元的阈值电压分布可以是读存储在存储器单元中的数据时的重要因素。
技术实现思路
[0005]示例实施例提供了存储器装置及其操作方法，该存储器装置通过在刷新操作中将第一刷新电压输入到存储器单元并且将第二刷新电压额外地输入到存储器单元中的至少一些以改善阈值电压的分布的时间段期间检测存储器单元的阈值电压而具有改善的可靠性。
[0006]根据示例实施例，存储器装置包括：单元区域，在所述单元区域中设置了多条字线、多条位线以及连接到多条字线和多条位线的多个存储器单元，多个存储器单元中的每一个包括彼此串联连接的双向阈值开关元件和存储器元件；以及外围电路区域，其包括至少一个外围电路，所述至少一个外围电路被配置为将导通双向阈值开关元件的第一刷新电压输入到多个存储器单元之中的至少一些刷新单元中的每一个以执行刷新操作，在导通双向阈值开关元件的同时将刷新单元中的每一个确定为处于第一状态的第一刷新单元或者处于第二状态的第二刷新单元，并且将与第一刷新电压不同的第二刷新电压输入到第二刷新单元。
[0007]根据示例实施例，存储器装置包括：单元区域，其包括连接到多条字线和多条位线的多个存储器单元，多个存储器单元中的每一个的阈值电压通过编程操作低于或等于第一阈值电压，或者高于或等于高于第一阈值电压的第二阈值电压；以及外围电路区域，其包括至少一个外围电路，所述至少一个外围电路连接到多条字线和多条位线并且被配置为在控制操作之后将后电压输入到多个存储器单元之中的目标存储器单元，其中，目标存储器单元中的每一个的阈值电压高于或等于第二阈值电压。控制操作是使包括在多个存储器单元中的至少一些刷新单元中的每一个中的开关元件导通的刷新操作。
[0008]根据示例实施例，存储器装置包括：多条字线，其在第一方向上延伸；多条位线，其在与第一方向相交的第二方向上延伸，并且在与第一方向和第二方向相交的第三方向上与多条字线分离；多个存储器单元，其连接到多条字线和多条位线；以及外围电路区域，其包括至少一个外围电路，所述至少一个外围电路连接到多条字线和多条位线并且被配置为针
对多个存储器单元中的刷新单元顺序地执行第一刷新操作和第二刷新操作。所述至少一个外围电路被配置为在第一刷新操作期间将第一刷新电压输入到刷新单元，并且将高于第一刷新电压的第二刷新电压仅输入到刷新单元的一部分，以执行第二刷新操作。
[0009]根据示例实施例，存储器装置的操作方法包括：从外部存储器控制器接收刷新命令；将第一刷新电压输入到存储器单元中的至少一些刷新单元；在第一刷新电压输入到刷新单元的时间段期间将刷新单元分类为第一刷新单元和第二刷新单元，第一刷新单元的阈值电压低于或等于第一阈值电压，并且第二刷新单元的阈值电压高于或等于与第一阈值电压不同的第二阈值电压；以及将高于或等于第一刷新电压的第二刷新电压仅输入到第二刷新单元。当第一阈值电压大于第二阈值电压时，第二刷新电压等于第一刷新电压，并且当第一阈值电压低于第二阈值电压时，第二刷新电压大于第一刷新电压。
附图说明
[0010]通过结合附图的以下的详细描述，将更加清楚地理解本专利技术构思的以上和其它方面、特征和优点，在附图中：
[0011]图1是示出根据示例实施例的存储器装置的示意性框图；
[0012]图2是示出根据示例实施例的存储器装置的存储器单元阵列的示意图；
[0013]图3和图4是示出根据示例实施例的存储器装置的示意性框图；
[0014]图5是示出根据示例实施例的存储器装置的结构的图；
[0015]图6A和图6B是示出根据示例实施例的存储器装置中的存储器单元的阈值电压分布的图；
[0016]图7和图8是为了示出根据示例实施例的存储器装置的操作而提供的图；
[0017]图9和图10是为了示出根据示例实施例的存储器装置的操作而提供的图；
[0018]图11是为了示出根据示例实施例的存储器装置的操作而提供的流程图；
[0019]图12至图13B是为了示出根据示例实施例的存储器装置的操作而提供的图；
[0020]图14是为了示出根据示例实施例的存储器装置的操作而提供的流程图；
[0021]图15至图16C是为了示出根据示例实施例的存储器装置的操作而提供的图；以及
[0022]图17是示出包括根据示例实施例的存储器装置的系统的示意性框图。
具体实施方式
[0023]在下文中，将参照附图描述示例实施例。
[0024]图1是示出根据示例实施例的存储器装置的示意性框图。
[0025]根据示例实施例的存储器装置10可以包括外围电路区域20和单元区域30。外围电路区域20可以包括至少一个外围电路，其包括例如解码器电路21和22、读/写电路23、控制逻辑24等。单元区域30可以包括多个存储器单元。
[0026]解码器电路21和22可以包括通过字线WL连接到多个存储器单元的字线解码器21和通过位线BL连接到多个存储器单元的位线解码器22。字线解码器21、位线解码器22和读/写电路23的操作可以由控制逻辑24控制。在示例实施例中，读/写电路23可以包括将数据写入由字线解码器21和位线解码器22指定的至少一个选择的存储器单元的编程电路、从所选择的存储器单元读出数据的读出电路等。
[0027]控制逻辑24可以通过字线解码器21和位线解码器22确定包括在单元区域30中的存储器单元之中的选择的存储器单元。控制逻辑24可以通过将预定(或可替换地，期望)的偏压输入到连接到所选择的存储器单元的所选字线和所选位线中的每一条来针对所选择的存储器单元执行编程操作、读操作、刷新操作等。
[0028]作为示例，在存储器装置10中，字线解码器21和位线解码器22可以设置在单元区域30下方。换言之，单元区域30可以设置在字线解码器21和位线解码器22上方。可以使用如上所述的结构简化将字线WL和字线解码器21彼此连接以及将位线BL和位线解码器22彼此连接的布线的设计。根据示例实施例，读/写电路23还可以与字线解码器21和位线解码器22一起设置在单元区域30下方。
[0029]图2是示出根据示例实施例的存储器装置的单元区域的示意图。
[0030]参照图2，单元区域30可以包括在第一方向(Y轴方向)上延伸的位线BL1至BLn以及在第二方向(X轴方向)上延伸的字线LWL1至LWLm和UWL1至UWLm。作为示例，第一方向和第二方向可本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种存储器装置，包括：单元区域，在所述单元区域中设置了多条字线、多条位线以及连接到所述多条字线和所述多条位线的多个存储器单元，所述多个存储器单元中的每一个包括彼此串联连接的双向阈值开关元件和存储器元件；以及外围电路区域，其包括至少一个外围电路，所述至少一个外围电路被配置为将导通所述双向阈值开关元件的第一刷新电压输入到所述多个存储器单元之中的至少一些刷新单元中的每一个以执行刷新操作，在导通所述双向阈值开关元件的同时将所述刷新单元中的每一个确定为处于第一状态的第一刷新单元或者处于第二状态的第二刷新单元，并且将与所述第一刷新电压不同的第二刷新电压输入到所述第二刷新单元，处于所述第二状态的第二刷新单元具有比处于所述第一状态的第一刷新单元的阈值电压更大的阈值电压。2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述至少一个外围电路被配置为通过在所述刷新操作期间仅导通所述刷新单元中的每一个中的所述双向阈值开关元件来初始化所述双向阈值开关元件的阈值电压。3.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述第一刷新单元的阈值电压在第一范围内，并且所述第二刷新单元的阈值电压在大于所述第一范围的第二范围内，并且所述第一刷新单元的阈值电压通过所述刷新操作而减小。4.根据权利要求3所述的存储器装置，其中，所述第二刷新电压低于或等于所述第二范围内的最小阈值电压。5.根据权利要求3所述的存储器装置，其中，所述第一刷新电压大于所述第一范围内的最大阈值电压。6.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述第二刷新电压大于所述第一刷新电压。7.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述至少一个外围电路被配置为响应于从外部存储器控制器接收到的刷新命令而执行所述刷新操作。8.根据权利要求7所述的存储器装置，其中，所述至少一个外围电路被配置为每预定周期接收所述刷新命令。9.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述至少一个外围电路包括：位线解码器，其连接到所述多条位线；字线解码器，其连接到所述多条字线；以及读/写电路，其具有通过所述字线解码器连接到所述多条字线的感测放大器。10.根据权利要求9所述的存储器装置，其中，所述至少一个外围电路被配置为启用所述感测放大器之中的连接到其中所述双向阈值开关元件被导通的刷新单元的感测放大器，以将该刷新单元的状态确定为所述第一状态或所述第二状态。11.根据权利要求9所述的存储器装置，其中，所述第二刷新电压的幅度由从所述位线解码器输出的位线电压与从所述字线解码器输出的字线电压之间的差确定，并且所述位线电压的幅度高于或等于所述字线电压的幅度。12.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述至少一个外围电路被配置为在输入所述第一刷新电...
【专利技术属性】
技术研发人员：曹成奎，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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