存储芯片、存储控制器和该存储芯片的操作方法技术

提供了存储芯片、存储控制器以及存储芯片的操作方法。所述存储芯片包括：多个引脚；以及接口电路，所述接口电路被配置为通过所述多个引脚从存储控制器接收交换命令集，从所述交换命令集获得交换命令和交换地址，基于所述交换命令和所述交换地址生成交换使能信号，以及根据所述交换使能信号来交换并输出数据信号。据所述交换使能信号来交换并输出数据信号。据所述交换使能信号来交换并输出数据信号。

【技术实现步骤摘要】
存储芯片、存储控制器和该存储芯片的操作方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求分别于2020年9月29日和2021年1月25日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10
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2020
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0127539和No.10
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2021
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0010358的优先权，这些申请的公开内容通过引用整体地并入本文。


[0003]本公开涉及半导体存储装置，并且更具体地涉及存储芯片、存储控制器和存储芯片的操作方法。

技术介绍

[0004]当在双层印刷电路板(PCB)上安装多个芯片时，并且当正面芯片和背面芯片的通道长度增加时，布线之间的干扰可能增加并且信号完整性(SI)可能降级。
[0005]为了减少短截线(stub)的长度并方便布线，可使用镜像方法来安装背面芯片。正面芯片可确定连接的芯片是使用镜像方法安装的背面芯片还是位于正面的另一芯片。可向每个芯片额外分配单独的引脚以进行这种确定，这进而可能增加芯片尺寸。

技术实现思路

[0006]本公开提供一种存储芯片，该存储芯片在不用分配单独的引脚的情况下基于命令和地址来识别连接的芯片是否被设置为正确的交换模式，并且基于识别的结果来控制芯片的交换模式。本公开还提供一种存储控制器和一种存储芯片的操作方法。
[0007]根据本公开的实施例，提供了一种存储芯片，所述存储芯片包括：多个引脚；和接口电路，所述接口电路被配置为通过所述多个引脚从存储控制器接收交换命令集，从所述交换命令集获得交换命令和交换地址，基于所述交换命令和所述交换地址生成交换使能信号，以及根据所述交换使能信号来交换并输出数据信号。
[0008]根据本公开的实施例，提供了一种连接到芯片的存储控制器，其中，所述存储控制器被配置为向所述芯片传送状态检查命令，以及作为对所述状态检查命令的响应从所述芯片接收第一值，当所述第一值与存储在所述芯片的寄存器中的第二值相同时，将所述芯片的交换模式确定为第一状态，而当所述第一值是通过交换所述第二值获得的值时，将所述芯片的交换模式确定为第二状态。
[0009]根据本公开的实施例，提供了一种包括多个引脚的存储芯片的操作方法，包括：通过所述多个引脚接收交换命令集；从所述交换命令集获得交换命令和交换地址；基于所述交换命令和所述交换地址生成交换使能信号；以及根据所述交换使能信号通过所述多个引脚来交换并输出数据信号。
附图说明
[0010]根据当结合附图进行时的以下详细描述，将更清楚地理解本公开的实施例，在附
图中：
[0011]图1是示出了根据本公开的实施例的存储设备的框图；
[0012]图2是示出了根据本公开的实施例的半导体封装件的横截面图；
[0013]图3A和图3B是示出了根据本公开的实施例的半导体封装件的横截面图；
[0014]图4是示出了根据本公开的实施例的接口电路的框图；
[0015]图5是示出了根据本公开的实施例的交换电路的电路图；
[0016]图6是示出了根据本公开的实施例的交换命令集的概念图；
[0017]图7是示出了根据本公开的实施例的交换命令和交换地址的表格图；
[0018]图8是示出了根据本公开的实施例的交换命令集的定时图；
[0019]图9是示出了根据本公开的实施例的存储芯片的操作的流程图；
[0020]图10是示出了根据本公开的实施例的存储设备的框图；
[0021]图11是示出了根据本公开的实施例的根据存储芯片的位置和交换模式的识别结果的表格图；
[0022]图12是示出了根据本公开的实施例的接口电路的框图；
[0023]图13是示出了根据本公开的实施例的交换电路的电路图；
[0024]图14是示出了根据本公开的实施例的接口电路的框图；
[0025]图15是示出了根据本公开的实施例的交换使能信号生成器的电路图；
[0026]图16是示出了根据本公开的实施例的存储芯片的交换模式的定时图；
[0027]图17是示出了根据本公开的实施例的存储设备的框图；以及
[0028]图18是根据本公开的实施例的存储系统的框图。
具体实施方式
[0029]在下文中，将参考附图详细地描述本公开的实施例。本公开是关于所描述的实施例通过示例做出的，但是不特别限于此。
[0030]图1示出了根据本公开的实施例的存储设备(storage device)10。
[0031]参考图1，存储设备10可包括存储控制器1000和存储装置1500。存储装置1500可以是非易失性存储装置并且可包括多个芯片2000。
[0032]在实施例中，多个芯片2000中的每一个芯片可对应于存储芯片并且可包括接口电路。作为示例，多个芯片2000中的至少一个芯片可对应于设置在存储控制器1000与存储装置1500之间的缓冲芯片。在下文中，为了描述的方便，假定了多个芯片2000中的每一个芯片是存储芯片，但是本公开不限于此。
[0033]在实施例中，存储控制器1000可被称为存储控制器芯片或控制器芯片，但不限于此。
[0034]因为存储装置1500包括多个存储芯片2000，所以存储装置1500可被称为“多芯片存储器”。例如，多个存储芯片2000中的每一个存储芯片可以是双裸片封装件(Dual Die Package，DDP)、四裸片封装件(QDP)或八裸片封装件(ODP)。然而，本公开不限于此，并且在一些实施例中，多个存储芯片2000可分别对应于多个存储裸片，并且因此，存储装置1500可被称为“多裸片封装件”。
[0035]在实施例中，多个存储芯片2000中的每一个存储芯片可以是非易失性存储芯片。
例如，多个存储芯片2000中的每一个存储芯片可以是NAND闪速存储芯片。例如，多个存储芯片2000中的至少一个存储芯片可以是垂直NAND(VNAND)闪速存储芯片，并且垂直NAND闪速存储芯片可包括单元串，这些单元串分别包括沿垂直方向堆叠在衬底上的字线和分别连接到字线的多个存储单元。然而，本公开不限于此，并且多个存储芯片2000中的至少一个存储芯片可以是诸如电阻RAM(ReRAM)的电阻存储芯片、相变RAM(PRAM)和/或磁RAM(MRAM)。
[0036]多个芯片2000中的每一个芯片和存储控制器1000可通过包括时钟信号线、输入/输出信号线和数据选通信号线的多条信号线彼此通信。例如，多个芯片2000中的每一个芯片和存储控制器1000可被实现为遵守诸如切换或开放式NAND闪存接口(ONFI)的标准规范。
[0037]存储控制器1000可通过时钟信号线向存储装置1500传送时钟信号CLK。在本实施例中，可将时钟信号CLK在特定周期内切换到预定频率，并且因此，存储设备10可被称为异步系统，但不限于此。例如，可以与数据输入/输出速度相对应的频率切换时钟信号CLK。
[0038]存储控制器10本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储芯片，所述存储芯片包括：多个引脚；以及接口电路，所述接口电路被配置为通过所述多个引脚从存储控制器接收交换命令集，从所述交换命令集获得交换命令和交换地址，基于所述交换命令和所述交换地址生成交换使能信号，以及根据所述交换使能信号来交换并输出数据信号。2.根据权利要求1所述的存储芯片，其中，所述交换命令和所述交换地址中的每一者包括回文。3.根据权利要求2所述的存储芯片，其中，所述接口电路进一步被配置为，当从所述交换命令集获得包括回文的第一数据信号然后继续获得包括回文的第二数据信号时，将所述第一数据信号确定为所述交换命令，并且将所述第二数据信号确定为所述交换地址。4.根据权利要求3所述的存储芯片，其中，所述交换命令将所述接口电路设置为用于所述存储芯片的交换操作，并且其中，所述交换地址确定是否交换所述数据信号。5.根据权利要求4所述的存储芯片，其中，所述接口电路还被配置为基于所述交换地址确定所述交换使能信号的逻辑电平。6.根据权利要求1所述的存储芯片，其中，所述交换命令和所述交换地址是在所述存储芯片接收到加电命令的时刻与所述存储芯片接收到复位命令的时刻之间获得的或者是在所述存储芯片接收到所述复位命令的时刻之后获得的。7.根据权利要求1所述的存储芯片，其中，所述接口电路包括：多个复用器，所述多个复用器分别连接到所述多个引脚以接收所述数据信号和所述交换命令集；以及交换判定电路，所述交换判定电路被配置为接收所述交换命令集，基于所述交换地址生成所述交换使能信号，以及将所述交换使能信号作为选择信号提供给所述多个复用器，并且其中，通过所述多个复用器输出的数据是正向数据或交换后的数据。8.根据权利要求7所述的存储芯片，其中，所述多个引脚包括第一引脚和第二引脚，其中，所述数据信号包括第一信号和第二信号，其中，所述多个复用器包括第一复用器和第二复用器，其中，所述第一复用器连接到所述第一引脚和所述第二引脚以接收所述第一信号和所述第二信号，其中，所述第二复用器连接到所述第二引脚和所述第一引脚以接收所述第二信号和所述第一信号，并且其中，所述第一复用器和所述第二复用器被配置为根据所述交换使能信号分别输出所述第一信号和所述第二信号，或者分别输出所述第二信号和所述第一信号。9.一种连接到芯片的存储控制器，其中，所述存储控制器被配置为：向所述芯片传送状态检查命令，以及从所述芯片接收第一值作为对所述状态检查命令的响应，当所述第一值与存储在所述芯片的寄存器中的第二值相同时，将所述芯片的交换模式确定为第一状态，并且
当所述第一值是通过交换所述第二值获得的值时，将所述芯片的交换模式确定为第...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴太贤，郑秉勋，尹治元，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：