一种TLCNAND闪存译码方法、装置、系统和介质制造方法及图纸

本申请提供了一种TLC NAND闪存译码方法、装置、系统和介质，该方法包括：采用读电压对TLC NAND闪存第一逻辑页进行多次读操作得到多次读取结果，将读取结果之间进行同或得到初始译码结果，根据初始译码结果得到TLC NAND第一逻辑页的各个分布态分别对应的初始LLR值，根据多次读取结果对初始LLR值进行修正以得到修正LLR值，根据修正LLR值对TLC NAND闪存进行译码。即利用同一物理页中的本逻辑页的数据来修正LLR值，无需利用其他逻辑页的数据来修正LLR值，以完成TLC NAND闪存正确译码，实现上简单，提高了效率和用户使用体验。提高了效率和用户使用体验。提高了效率和用户使用体验。

【技术实现步骤摘要】
一种TLC NAND闪存译码方法、装置、系统和介质


[0001]本申请涉及半导体
，特别涉及一种TLC NAND闪存译码方法和装置。

技术介绍

[0002]半导体存储器件的特点可为易失性的或非易失性的，尽管易失性半导体存储器件可以高速执行读取操作和写入操作，但是在断电状态下存储在易失性半导体存储器件中的内容会丢失。相反，非易失性半导体存储器件的特点是无论是否加电均保留存储的内容。闪存器件(Flash memory)是典型的非易失性半导体存储器件的示例，闪存器件可以被广泛地用作数据存储介质。
[0003]非易失存储器包括多个以阵列排列的用于存储数据的存储单元。其中，存储单元分为若干个块(block)，每个块又分为若干个页(page)，对非易失性存储器的读写、验证、清除等操作均可以以页为单位进行。非易失性存储器进行信息存储时需要对数据进行编码，并将编码之后的数据写入至存储器阵列中的存储单元，在读出时需要进行译码操作。
[0004]在NAND Flash存储器件中，主要分为SLC(单层单元，Single/>‑
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种TLC NAND闪存译码方法，其特征在于，包括：采用读电压对TLC NAND闪存第一逻辑页进行多次读操作得到多次读取结果；将所述读取结果之间进行同或得到初始译码结果；根据所述初始译码结果得到TLC NAND所述第一逻辑页的各个分布态分别对应的初始LLR值；根据所述多次读取结果对所述初始LLR值进行修正以得到修正LLR值；根据所述修正LLR值对所述TLC NAND闪存进行译码。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述多次读取结果对所述初始LLR值进行修正以得到修正LLR值，包括：获取所述多次读取结果对应的各个分布态的位置信息；根据所述位置信息对所述第一LLR值进行修正以得到修正LLR值。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述TLC NAND闪存中的一个物理页包括下页、中页和上页三个逻辑页；所述TLC NAND闪存包括E、P1
‑
P7八个分布态；当所述第一逻辑页为下页时；所述采用读电压对TLC NAND闪存第一逻辑页进行多次读操作得到多次读取结果，包括：在所述E态和所述P1态之间采用第一读电压进行读操作得到第一读取结果；在所述P4态和所述P5态之间采用第五读电压进行读操作得到第五读取结果。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述多次读取结果对所述初始LLR值进行修正以得到修正LLR值，和，采用读电压对TLC NAND闪存第二逻辑页进行多次读操作得到多次读取结果，并行进行。5.一种TLC NAND闪存译码装置，其特征在于，包括：第一逻辑页读单元，用于采用读电压对TLC NAND闪存第一逻辑页进行多次读操作得到多次读取结果；同或单元，用于将所述读取结果之间进行同或得到初始译码结果；初始LLR值获取单元，用于根据所述初始译码结果得到TLC NAND所...

【专利技术属性】
技术研发人员：王颀，于晓磊，李前辉，杨柳，何菁，王先良，张博，霍宗亮，叶甜春，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：