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本申请提供了一种TLC NAND闪存译码方法、装置、系统和介质，该方法包括：采用读电压对TLC NAND闪存第一逻辑页进行多次读操作得到多次读取结果，将读取结果之间进行同或得到初始译码结果，根据初始译码结果得到TLC NAND第一逻辑页的各...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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