一种针对NANDFlash最大保存时间错误数的分析方法技术

本发明专利技术公开一种针对NAND Flash最大保存时间错误数的分析方法，本方法针对对个对照试验组进行不同条件的写入后，模拟NAND Flash的最大保存时间，然后进行不同条件的读取，从而判断各种条件下错误数是否仍在可纠错范围内，防止重要数据丢失，判断出各种条件下的错误情况后，为后续的读写提供指导，避免错误数超过可纠错范围。可纠错范围。可纠错范围。

【技术实现步骤摘要】
一种针对NAND Flash最大保存时间错误数的分析方法


[0001]本专利技术涉及一种针对NAND Flash最大保存时间错误数的分析方法，属于存储器


技术介绍

[0002]NAND Flash是非易失性存储器，掉电数据不丢失，体积小，可以实现廉价高效的大容量存储，因此受到广泛应用。
[0003]一般而言，一片NAND Flash是由许多块（Block）组成，每个块（Block）包含许多字线（Word line），每个字线（Word line）包含若干页（Page）。用户可以对NAND Flash进行擦除（Erase）、写入（Write）和读取（Read）操作，其中，块（Block）一般是擦除操作的最小寻址单元，字线（Word line）一般是写入操作的最小寻址单元，页（Page）一般是读取操作的最小寻址单元。
[0004]NAND Flash由于内部原理和制作工艺限制，数据保存时间越久越容易出现位（Bit）反转，即写入的数据在读出时有些位由1变0，有些位由0变1。即读取时的数据与写入数据不一致。
[0005本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种针对NAND Flash最大保存时长错误数的分析方法，其特征在于：包括以下步骤：S01）、选取NAND Flash的多个Block，根据NAND Flash手册确定其使用时的写入方式；S02）、按照步骤S01）确定的写入方式，对选取的Block根据不同磨损程度、不同写入量进行擦除写入，并进行分组，形成不同的对照试验组；S03）、在室温下，对步骤S02）形成的对照试验组正常擦除写入一次，写入量与步骤S02）相同；S04）、数据写入完成后断电开始保存，数据保存条件为温箱高温离线保存，保存温度在80
°
C 到100
°
C之间，保存时间按照手册给定的40℃保存时长计算得出；S05）、Block按照步骤S04）计算的高温保存时间保存后，降至室温，然后将Block放入治具中，在常温下稳定后，使用默认电压轴（0,0,0,0,0,0,0）和NAND Flash厂商提供的所有读循环电压轴进行重复读取，获取所有Block的比特出错概率信息；S06）、在每个对照试验组的各字线中选定一定数量的字节，统计这些字节正常读取和重复读取的位反转情况；S07）、分析不同读取次数的比特出错概率信息情况，其他条件为写入量100%、生命末期、手册给定的最大保存时长、正常电压轴读取；S08）、分析不同磨损程度的比特出错概率信息情况，其他条件为写入量100%、手册给定的最大保存时长、正常电压轴读取；S09）、分析不同写入量的比特出错概率信息情况，其他条件为生命末期、手册给定的最大保存时长、正常电压轴、第n次读取，n由步骤S07）得出S10）、分析不同读取电压轴的比特出错概率信息情况，其他条件为写入量100%、生命末期、手册给定的最...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋书斌，曹成，李瑞东，
申请(专利权)人：山东华芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：