一种SSD主控自适应电压轴的方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及SSD主控领域，具体是一种SSD主控自适应电压轴的方法及装置。本发明专利技术先构建一个涵盖多种NAND特性的电压值表。该电压值表通过实时监测NAND FLASH的磨损程度、数据保存时间以及读干扰次数，在电压值表内获取最优读电压值，以补偿电压轴漂移带来的影响。并且在SSD主控内设计了一个硬件单元，自动读取对应情况下的多组电压值，无需软件参与自动下发至NAND FLASH，返回该笔读的最终操作结果，极大的节省了IO路径上的软件耗时，提升了SSD主控的整体读性能。本发明专利技术将NAND Flash的固有特性电压值预先融合到FVT表中，降低了SSD主控的实时处理复杂度，简化了设计并提高了效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及ssd主控领域，具体是一种ssd主控自适应电压轴的方法及装置。

技术介绍

1、nand flash在寿命期限内会有多种原因导致电压轴漂移。比如电荷泄漏导致存储单元中的电荷逐渐流失，从而影响阈值电压的稳定性；编程/擦除操作的重复进行会引发氧化层损伤，进而改变电荷保持特性；环境温度波动会导致电荷分布状态发生变化，影响存储单元的电气特性；此外，读取操作过程中产生的干扰效应可能对邻近存储单元造成电荷扰动，进一步加剧电压轴偏移。这些因素的协同作用使得存储单元的阈值电压发生不可逆的偏移，从而降低数据存储的可靠性和器件寿命。

技术实现思路

1、为了有效应对nand flash存储器件中电压轴漂移现象，基于对磨损测试、数据保存时长及读取干扰等关键因素的深入分析，提出一种ssd主控自适应电压轴的方法及装置，首先设计了一种涵盖多种nand特性的电压值表，该电压值表通过实时监测nand flash的磨损程度、数据保存时间以及读干扰次数，在电压值表内获取最优读电压值，以补偿电压轴漂移带来的影响。p>

2、为了解本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种SSD主控自适应电压轴的方法，其特征在于：包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的SSD主控自适应电压轴的方法，其特征在于：构建NAND Flash的FVT表的方式为：针对目标NAND Flash类型，在其不同寿命阶段、多种数据保存时长及读干扰次数条件下进行测试，获取适用于所有Block的通用电压值组合，所述电压值组合要求确保纠错成功率至少达到设定阈值，不同寿命阶段通过磨损次数表示。

3.根据权利要求2所述的SSD主控自适应电压轴的方法，其特征在于：针对目标NANDFlash类型，在其不同寿命阶段、多种数据保存时长及读干扰次数条件下进行测试时，针对NAND...

【技术特征摘要】

1.一种ssd主控自适应电压轴的方法，其特征在于：包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的ssd主控自适应电压轴的方法，其特征在于：构建nand flash的fvt表的方式为：针对目标nand flash类型，在其不同寿命阶段、多种数据保存时长及读干扰次数条件下进行测试，获取适用于所有block的通用电压值组合，所述电压值组合要求确保纠错成功率至少达到设定阈值，不同寿命阶段通过磨损次数表示。

3.根据权利要求2所述的ssd主控自适应电压轴的方法，其特征在于：针对目标nandflash类型，在其不同寿命阶段、多种数据保存时长及读干扰次数条件下进行测试时，针对nand flash的固有特性单独测试并获取其对应的固定电压值，将得到的固定电压值与通用电压值表融合，形成最终的fvt表。

4.根据权利要求2所述的ssd主控自适应电压轴的方法，其特征在于：纠错成功率的设定阈值为99.99%。

5.根据权利要求1所述的ssd主控自适应电压轴的方法，其特征在于：执行步骤s03时，若两笔读操作是对同一lun内的连续读操作，并且这两笔读操作的磨损次数、数据保存时长一致，若前一笔读操作已成功使用首个fvt值，则后续读操作直接跳过fvt值配置步骤，直接下发读命令。

6.根据权利要求5所述的ssd主控自适应电压轴的方法，其特征在于：通过fvt的index值判断是否为对同一lun内的连续读操作，若当前fvt的index值等于上个fvt的index值，则不下载新的fvt值，若当前fvt的index值不等于上个fvt的index值，则下载新的fvt值。

7.根据权利要求1所述的ssd主控自适应电压轴的...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹成，郭鹏，衣瑞刚，
申请(专利权)人：山东华芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：