膜载带制造技术

本发明专利技术提供一种膜载带，其特征在于：设有具有与半导体芯片的电极相接合的接合部的布线图形和定位标记，上述定位标记是在与上述布线图形相同的面上形成的金属箔中利用刻蚀形成的小孔，该小孔能通过孔从与形成上述布线图形的面的相反的一侧进行识别。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
膜载带
本专利技术涉及CSP(芯片比例/尺寸封装)型的半导体装置的制造方法和膜载带。
技术介绍
如果追求半导体装置的高密度安装，则裸芯片安装是理想的。但是，裸芯片安装中难以保证质量，操作方面也较困难。因此，开发了CSP(芯片比例/尺寸封装)。关于CSP还没有正式的定义，但一般理解为封装的尺寸与IC芯片的尺寸相同、或比IC芯片的尺寸稍大的IC封装。为了推进高密度安装，CSP技术的开发是重要的。作为公开了涉及CSP的现有例的发行物，有国际公开W095/08856号公报。按照该公报，采用了下述的方式：在引线框支撑体(专用夹具)上装载引线框，在用特殊的工具逐个地切断(每一条)引线的同时，将被切断的引线向下侧折弯，连接到IC芯片的键合焊区上。在该方法中，需要特殊的夹具和机械设备，此外，在一边切断引线一边键合到IC芯片上时，存在由于容易产生引线弯曲因此成品率恶化的问题。因此，提出了下述技术：在绝缘膜上形成布线图形，使该布线图形与半导体芯片的有源面相对，将布线图形的一部分与半导体芯片的电极直接键合在一起。按照该技术，虽然解决了上述问题，但由于布线图形与电极相对，故不能一边从上方观察一边进行位置重合。而且，为了进行位置重合，必须有能够通过光学系统观察相对的布线图形与电极的倒装芯片键合用的装置，产生不能使用普通的统调键合(gangbonding)方式的键合器(bonder)的问题。
技术实现思路
本专利技术是鉴于下述情况来进行的：因为采取与现有的基板结构不同的结构(没有器件孔的结构)，故在进行位置识别时只利用现有的来自一个方向的识别装置就不能适应。而且，其目的在于，提供利用来自一个方向(来自绝缘膜一侧)的识别装置能进行位置重合(换言之，在制造装置一侧不采用复杂的结构，而是利用现有的来自一个方向的识别装置)的半导体装置的制造方法和在该方法中使用的膜载带。-->与本专利技术有关的半导体装置的制造方法包括：准备虚拟膜的工序，该虚拟膜具有虚拟图形和光透过部，该虚拟图形具有与在绝缘膜上形成的布线图形中与半导体芯片的电极相接合的接合部相同的虚拟接合部，并形成与上述布线图形相同的形状，该光透过部在与上述虚拟接合部对应的区域中形成；配置上述虚拟膜和上述半导体芯片，使上述虚拟接合部与上述电极朝向彼此相对的方向的工序；从上述光透过部观察，进行上述虚拟接合部与上述电极的位置重合的工序；除去上述虚拟膜，在同一位置上配置上述绝缘膜的工序；以及将上述接合部与电极接合起来的工序。按照本专利技术，首先，使用虚拟膜，对半导体芯片的电极与虚拟图形的虚拟接合部进行位置重合。由于在该虚拟膜上的与虚拟接合部对应的位置上形成了光透过部，故可一边从该光透过部进行观察，一边简单地进行虚拟接合部与电极的位置重合。这样来配置虚拟膜和半导体芯片，以使虚拟接合部与电极相对应。其次，除去虚拟膜，在同一位置上配置绝缘膜。由于绝缘膜具有与虚拟图形相同的布线图形和与虚拟接合部相同的接合部，故如果在与虚拟膜相同的位置上进行配置，则就配置在接合部与电极相对应的位置上。然后，将接合部与电极接合起来，如果需要的话可通过进行其后的工序来制造半导体装置。按照本专利技术，只通过与虚拟膜进行交换就可进行绝缘膜的位置重合。因而，即使不能看到接合部，也能准确地进行与电极的接合。再有，在本专利技术中，所谓准备虚拟膜的工序，指的是得到虚拟膜并完成位置重合那样地来进行准备的情况，但也可包含在此之前形成虚拟膜的工序本身。在本专利技术中，所述光透过部也可以是孔。由于光透过部是孔，故也可不限制绝缘膜的材料。例如，即使基体材料是光透过性差的材料，也可利用。此外，上述虚拟膜也可以由整体具有光透过性的材料构成。在这种情况下，通过虚拟膜本身透过光来形成光透过部。与本专利技术有关的半导体装置的制造方法包括：在绝缘膜上形成具有与半导体元件的电极相接合的接合部的布线图形和定位标记的工序；存储上述定位标记与上述接合部的相对位置的工序；这样来配置上述绝缘膜和上述半导体元件，使上述接合部与上述电极朝向彼此相对的-->方向的工序；检测出上述定位标记的位置并算出上述接合部的位置的工序；根据被算出的上述接合部的位置信息，进行上述接合部与上述电极的位置重合的工序；以及将上述接合部与电极接合起来的工序。按照本专利技术，由于存储了在绝缘膜上形成的定位标记与接合到半导体元件的电极用的接合部的相对位置，故如果检测出定位标记，则也可算出接合部的位置。而且，根据被算出的接合部的位置信息，进行接合部与电极的位置重合，将两者接合起来。与本专利技术有关的半导体装置的制造方法包括在上述绝缘膜上形成定位标记的工序和存储上述定位标记与上述接合部的相对位置的工序，在除去上述虚拟膜并在同一位置上配置上述绝缘膜的工序之后，检测出上述定位标记的位置，算出上述接合部的位置，根据被算出的上述接合部的位置信息，进行上述接合部与上述电极的位置重合，之后将上述接合部与电极接合起来。总之，本专利技术是在使用虚拟膜进行了绝缘膜的位置重合后，利用位置标记进行绝缘膜的微调整的方法。按照该方法可进一步提高位置精度。上述定位标记是在与上述布线图形相同的面上形成的金属箔中利用刻蚀形成的小孔，也可作成该小孔能通过在上述绝缘膜中形成的孔从与形成上述布线图形的面的相反的一侧进行识别的结构。在此，由于作为定位标记的小孔是对与布线图形相同的面上形成的金属箔进行刻蚀而形成的，故可与布线图形同时地形成。而且，由于利用刻蚀来形成，故小孔的位置精度较高。在与上述布线图形相同的面上至少以一条线状形成上述定位标记，而且，也可作成能通过在上述绝缘膜中形成的孔从与形成上述布线图形的面的相反的一侧进行识别的结构。在这种情况下，最好在互相垂直的方向上形成多个上述定位标记。通过在互相垂直的方向上形成多个上述定位标记，各个定位标记与平面坐标中的X轴或Y轴正交，坐标的确定变得容易。在与本专利技术有关的膜载带中设有具有与半导体元件的电极相接合的接合部的布线图形和定位标记，上述定位标记是在与上述布线图形相同的面上形成的金属箔中利用刻蚀形成的小孔，该小孔成为能通过孔从与形成上述布线图形的面的相反的一侧进行识别的结构。-->使用该膜载带，可通过上述方法来制造半导体装置。在与上述布线图形相同的面上至少以一条线状形成上述定位标记，而且，也可作成能通过孔从与形成上述布线图形的面的相反的一侧进行识别的结构。再者，也可在互相垂直的方向上形成多个上述定位标记。附图说明图1A～图1C是说明与第1实施形态有关的半导体装置的制造方法的图，图2是示出膜载带的图，图3A和图3B是说明与第2实施形态有关的半导体装置的制造方法的图，图4A和图4B是说明与第3实施形态有关的半导体装置的制造方法的图。具体实施方式以下参照附图说明本专利技术的优选实施形态。(第1实施形态)图1A～图1C是说明与第1实施形态有关的半导体装置的制造方法的图。如图1C中所示，所完成的半导体装置10包含半导体芯片12和膜片14。在膜片14的一个面上形成了布线图形16。在布线图形16上形成了凸状的接合部16a，通过各向异性导电膜18，将接合部16a与半导体芯片12的电极13接合起来。再有，接合部16a的形状也可以不是凸状而是平坦的。此外，在布线图形16上形成了外部端于17。在本实施形态中，使用普通的统调键合方式的键合器，如下述那样本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种膜载带，其特征在于：设有具有与半导体芯片的电极相接合的接合部的布线图形和定位标记，上述定位标记是在与上述布线图形相同的面上形成的金属箔中利用刻蚀形成的小孔，该小孔能通过孔从与形成上述布线图形的面的相反的一侧进行识别。

【技术特征摘要】
JP 1997-3-21 87444/971.一种膜载带，其特征在于：设有具有与半导体芯片的电极相接合的接合部的布线图形和定位标记，上述定位标记是在与上述布线图形相同的面上形成的金属箔中利用刻蚀形成的小孔，该小孔能通过孔从与形成上...

【专利技术属性】
技术研发人员：桥元伸晃，
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]