半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

实施方式提供一种能够抑制可靠性劣化的半导体装置及其制造方法。本实施方式的半导体装置具备具有在第1方向上交替积层的多个导电层及多个第1绝缘层的积层体。导电层具有第1金属层及第2金属层。第1金属层包含第1金属元素及与包含该第1金属元素的材料气体发生化学反应的物质。第2金属层包含第1金属元素，且物质的含量比第1金属层少。第1金属层配置在第1绝缘层与第2绝缘层之间。缘层与第2绝缘层之间。缘层与第2绝缘层之间。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置及其制造方法
[0001][相关申请的交叉参考][0002]本申请享有以日本专利申请2020
‑
151432号(申请日：2020年9月9日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的所有内容。


[0003]本实施方式涉及一种半导体装置及其制造方法。

技术介绍

[0004]NAND(Not AND，与非)型EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read
‑
only Memory，电动可擦可编程只读存储器)等半导体装置(半导体存储装置)有时具备将存储单元三维地排列而成的立体型存储单元阵列。这种存储单元阵列具有将作为字线发挥功能的导电层与绝缘层交替积层而成的积层体。
[0005]然而，随着微细化，导电层的高度减小，相应地字线的配线电阻增大。另外，如果为了降低配线电阻而将势垒膜薄膜化或省略，那么例如会导致泄漏特性等可靠性劣化。

技术实现思路

[0006]本专利技术要解决的问题在于提供一种能够抑制可靠性劣化的半导体本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，具备积层体，所述积层体具有在第1方向上交替积层的多个导电层及多个第1绝缘层，所述导电层具有：第1金属层，包含第1金属元素及与包含该第1金属元素的材料气体发生化学反应的物质；以及第2金属层，包含所述第1金属元素，且所述物质的含量比所述第1金属层少；所述第1金属层配置在所述第1绝缘层与所述第2绝缘层之间。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中在所述导电层与所述第1绝缘层之间未设置包含与所述第1金属元素不同的第2金属元素的第3金属层。3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中所述第2金属元素为钛(Ti)。4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第1金属元素为钨(W)，所述材料气体为六氟化钨(WF6)气体，所述物质为硅(Si)。5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第1金属层还包含氮(N)。6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中所述第1金属层中所述第1绝缘层侧的氮浓度高于所述第2金属层侧的氮浓度。7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中所述第1金属层的氮浓度从所述第1绝缘层侧朝向所述第2金属层侧减少。8.根据权利要求2所述的半导体装置，其中所述第1金属层还包含氮(N)。9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中所述第1金属层中所述第1绝缘层侧的氮浓度高于所述第2金属层侧的氮浓度。10.根据权利要求9所述的半导体装置，其中所述第1金属层的氮浓度从所述第1绝缘层侧朝向所述第2金属层侧减少。11.根据权利要求1所述的半导体装置，其还具备柱状部，所述柱状部以在所述第1方向上贯通所述积层体的方式设置，且包含电荷蓄积层及半导体层，所述第1金属层配置在所述第2金属层与所述电荷蓄积层及所述半导体层之间。12.根据权利要求1所述的半导体装置，其还具备设置在所述导电层与所述第1绝缘层之间的第...

【专利技术属性】
技术研发人员：井手谦一，田原宽子，
申请(专利权)人：铠侠股份有限公司，
类型：发明
国别省市：