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实施方式提供一种能够抑制可靠性劣化的半导体装置及其制造方法。本实施方式的半导体装置具备具有在第1方向上交替积层的多个导电层及多个第1绝缘层的积层体。导电层具有第1金属层及第2金属层。第1金属层包含第1金属元素及与包含该第1金属元素的材料气体...
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