晶圆级扇出的多芯片封装结构及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种晶圆级扇出的多芯片封装结构，包括：转接结构，以及分别位于所述转接结构下侧和上侧的封装有芯片的第一包封层和第二包封层；所述第二包封层上设有外大内小的多个开口，以及覆盖所述开口且与所述转接结构中的导电金属层电连接的UBM层；在所述UBM层上还设有覆盖所述UBM层的凸起焊料结构。本发明专利技术还公开了一种晶圆级扇出的多芯片封装结构制备方法。本发明专利技术在包封层上开口并用UBM层覆盖及焊料填充，大大简化了现有技术中用于与外部电路连接的互连结构的制程工艺，节省了成本。节省了成本。节省了成本。

【技术实现步骤摘要】
晶圆级扇出的多芯片封装结构及其制备方法


[0001]本专利技术属于半导体封装
，具体涉及一种晶圆级扇出的多芯片封装结构及其制备方法。

技术介绍

[0002]晶圆级扇出封装结构可实现多个芯片集成在一个芯片封装体中，可实现多个芯片的功能集成；采用扇出的封装结构可提高芯片与封装基板间的I/O的分布密度，随着市场上对芯片工作频率和芯片信号传输速率不断提高的需求，晶圆级扇出封装结构具有非常广阔的市场应用前景。
[0003]在集成有多个芯片的芯片封装体中，多个芯片之间的信号传输线非常密集，单纯的靠硅载板和/或金属再布线层(Redistribution layer，RDL)来实现信号的传输互联，无法满足对信号密集传输的需求，需要引入桥接芯片并利用其内部的高密度互联结构来弥补硅转接板在信号传输上的缺陷。
[0004]现有技术中对于实现多个芯片与桥接芯片在芯片封装体内的互联结构，在制程工艺上较为复杂，成本也较高。

技术实现思路

[0005]针对现有技术中所存在的不足，本专利技术提供了一种制程工艺简单、成本低廉的晶圆级扇出的多本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆级扇出的多芯片封装结构，其特征在于，包括：转接结构，以及分别位于所述转接结构下侧和上侧的封装有芯片的第一包封层和第二包封层；所述第二包封层上设有外大内小的多个开口，以及覆盖所述开口且与所述转接结构中的导电金属层电连接的UBM层；在所述UBM层上还设有覆盖所述UBM层的凸起焊料结构。2.根据权利要求1所述的一种晶圆级扇出的多芯片封装结构，其特征在于：所述多个开口上的UBM层的截面采用V型结构和/或W型结构。3.根据权利要求2所述的一种晶圆级扇出的多芯片封装结构，其特征在于：若所述多个开口上的UBM层的截面既有V型结构也有W型结构，则所述输出引脚较少的芯片优先通过具有V型结构的UBM层与凸起焊料结构互联，所述输出引脚较多的芯片优先通过具有W型结构的UBM层与凸起焊料结构互联。4.根据权利要求1所述的一种晶圆级扇出的多芯片封装结构，其特征在于：所述UBM层的厚度不大于1μm。5.根据权利要求1所述的一种晶圆级扇出的多芯片封装结构，其特征在于：所述第二包封层的表面与其中最高的芯片的背面齐平。6.一种晶圆级扇出的多芯片封装结构制备方法，包括如下步骤：在载片的剥离层上形成转接结构；在所述转接结构上焊接多...

【专利技术属性】
技术研发人员：李宗怿，罗富铭，郭良奎，潘波，
申请(专利权)人：长电集成电路绍兴有限公司，
类型：发明
国别省市：