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本发明公开了一种晶圆级扇出的多芯片封装结构，包括：转接结构，以及分别位于所述转接结构下侧和上侧的封装有芯片的第一包封层和第二包封层；所述第二包封层上设有外大内小的多个开口，以及覆盖所述开口且与所述转接结构中的导电金属层电连接的UBM层；在所...
该专利属于长电集成电路（绍兴）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长电集成电路（绍兴）有限公司授权不得商用。

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