半导体装置及电子装置制造方法及图纸

半导体装置(100)构成为，能够安装于具有布线的布线基板，具备：第1半导体元件(1)及第2半导体元件(2)，两面形成有电极；两个第1端子(51、52)，在一个方向上排列配置；两个第2端子(53、54)，在一个方向上排列配置；以及密封树脂部(7)。密封树脂部在露出与布线基板对置的第1端子和第2端子的一面的状态下将第1半导体元件、第2半导体元件、第1端子、第2端子覆盖。两个第1端子的一面的面积比率不同，两个第2端子的一面的面积比率不同。两个第1端子的一方与两个第2端子的双方相邻而配置。个第2端子的双方相邻而配置。个第2端子的双方相邻而配置。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置及电子装置
[0001]关联申请的相互参照
[0002]本申请基于2019年7月10日提出的日本专利申请第2019－128733号，这里通过参照而引用其记载内容。


[0003]本专利技术涉及半导体装置及具备半导体装置的电子装置。

技术介绍

[0004]以往，作为具备两个半导体元件的半导体装置的一例，有在专利文献1中公开的半导体装置。该半导体装置中，构成DC－DC变换器的复合功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的高侧的功率MOSFET由横型MOSFET构成，低侧的功率MOSFET由纵型MOSFET构成。
[0005]现有技术文献
[0006]专利文献
[0007]专利文献1：日本特开2002－217416号公报

技术实现思路

[0008]在专利文献1中，两个半导体元件以同样的形状构成。因此，根据专利文献1，难以将半导体元件用于逆变器或用作半导体继电器的开关元件。此外，在处理大电流的制品中，布线面积及宽度变大，更加难以兼顾。
[0009]本专利技术的目的在于，提供能够将半导体元件用于逆变器或半导体继电器的开关元件的半导体装置及具备半导体装置的电子装置。
[0010]本专利技术的第1技术方案的半导体装置构成为能够安装于具有布线的布线基板，具备第1半导体元件及第2半导体元件、两个第1端子、两个第2端子和密封树脂部。第1半导体元件及第2半导体元件在两面上形成有电极。两个第1端子在安装于布线基板的状态下与布线的一部分连接，并且与第1半导体元件的各电极电连接，在一个方向上排列配置。两个第2端子在安装于布线基板的状态下与布线的一部分连接，并且与第2半导体元件的各电极电连接，与第1端子相邻且在一个方向上排列配置。密封树脂部以当安装于布线基板时露出与布线基板对置的第1端子和第2端子的一面的状态覆盖第1半导体元件、第2半导体元件、第1端子、第2端子。两个第1端子的一面的面积比率不同，两个第2端子的一面的面积比率不同。两个第1端子的一方与两个第2端子的双方相邻而配置。
[0011]在第1技术方案的半导体装置中，第1端子和第2端子如上述那样构成。因此，第1技术方案的半导体装置能够抑制体积变大，并且能够根据布线基板的布线与各第1端子及各第2端子的连接部位而将各半导体元件用于逆变器或用作半导体继电器的开关元件。
[0012]本专利技术的第2技术方案的电子装置具备：第1技术方案的半导体装置；以及布线基板，安装半导体装置，形成有与两个第1端子及两个第2端子电连接的布线。
[0013]第2技术方案的电子装置能够起到与第1技术方案同样的效果。
附图说明
[0014]图1是表示第1实施方式的半导体装置的概略结构的平面图。
[0015]图2是沿着图1的II
‑
II线的剖视图。
[0016]图3是沿着图1的III
‑
III线的剖视图。
[0017]图4是表示第1实施方式的半导体装置的安装构造例的平面图。
[0018]图5是图4的安装构造中的半导体装置的等价电路。
[0019]图6是表示第1实施方式的半导体装置的安装构造例的平面图。
[0020]图7是图6的安装构造中的半导体装置的等价电路。
[0021]图8是表示第1实施方式的印刷基板的布线图案的示意图。
[0022]图9是变形例1的半导体装置的剖视图。
[0023]图10是表示第2实施方式的半导体装置的概略结构的平面图。
[0024]图11是沿着图10的XI
‑
XI线的剖视图。
[0025]图12是沿着图10的XII
‑
XII线的剖视图。
[0026]图13是沿着图10的XIII
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XIII线的剖视图。
[0027]图14是第2实施方式的半导体装置的等价电路。
[0028]图15是表示变形例2的半导体装置的概略结构的平面图。
[0029]图16是变形例2的半导体装置的等价电路的例子。
[0030]图17是表示第3实施方式的半导体装置的概略结构的平面图。
[0031]图18是第3实施方式的半导体装置的等价电路。
[0032]图19是表示第4实施方式的半导体装置的应用例的电路图。
[0033]图20是表示第5实施方式的半导体装置的概略结构的平面图。
[0034]图21是沿着图20的XXI
‑
XXI线的剖视图。
[0035]图22是表示参考例的半导体装置的概略结构的平面图。
[0036]图23是变形例3的半导体装置的剖视图。
具体实施方式
[0037]以下，参照附图说明用来实施本专利技术的多个形态。在各形态中，有对于与在先形态中说明的事项对应的部分赋予同一标记而省略重复的说明的情况。在各形态中，在仅说明结构的一部分的情况下，关于结构的其他部分能够参照并应用在先说明的其他形态。另外，以下将相互正交的3个方向表示为X方向、Y方向、Z方向。
[0038](第1实施方式)
[0039]利用图1～图8，对半导体装置100进行说明。如图1、图2、图3所示，半导体装置100具备两个半导体元件即第1半导体元件1及第2半导体元件2、两个引线框、两个连接片3、4和密封树脂部7。半导体装置100能够安装于具有布线210、220的印刷基板200。印刷基板200相当于布线基板。包括半导体装置100和安装着半导体装置100的印刷基板200的构造体相当于电子装置。
[0040]另外，在图1中，将图面简化，为了使各构成要素容易理解，省略了密封树脂部7的
一部分。即，在图1中省略了密封树脂部7的将两个半导体元件1、2、两个引线框和两个连接片3、4覆盖的部分。
[0041]半导体元件1、2在两面上形成有电极。半导体元件1、2作为一例而采用MOSFET。但是，本专利技术并不限定于此，作为半导体元件1、2，也能够采用绝缘栅双极晶体管(IGBT)等。进而，作为半导体元件1、2的一例，也能够采用将IGBT和二极管一体化的逆导通(RC)－IGBT。此外，半导体元件1、2例如能够采用以Si为主成分的结构或以SiC为主成分而构成的结构。
[0042]第1半导体元件1如图1、图2、图3所示，具有第1基板、在第1基板的背面侧露出的第1漏极电极13、在第1基板的表面(背面的相反面)侧露出的第1源极电极12及第1栅极电极11。第1漏极电极13形成在表面侧的大致整个区域。另一方面，第1栅极电极11和第1源极电极12局部地形成在背面侧。
[0043]另外，第1基板在XY平面中例如呈矩形，在Z方向上具有厚度。在本实施方式中，作为一例，采用Y方向为较长方向、X方向为较短方向的第1基板。
[0044]第1半导体元件1可以形成有温度传感器、电流传感器等。该情况下，第1半导体元件1在与第1栅极电极11及第1源极电极12相同的面上形成与温度传感器、电流传本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置，构成为能够安装于具有布线的布线基板，其特征在于，具备：第1半导体元件(1)及第2半导体元件(2)，两面形成有电极；两个第1端子(51、52)，在安装于上述布线基板的状态下与上述布线的一部分连接，并且与上述第1半导体元件的各电极电连接，在一个方向上排列配置；两个第2端子(53、54)，在安装于上述布线基板的状态下与上述布线的一部分连接，并且与上述第2半导体元件的各电极电连接，与上述第1端子相邻且在上述一个方向上排列配置；以及密封树脂部(7)，以当安装于上述布线基板时露出与上述布线基板对置的上述第1端子和上述第2端子的一面(S21)的状态，覆盖上述第1半导体元件、上述第2半导体元件、上述第1端子、上述第2端子；两个上述第1端子的上述一面的面积比率不同；两个上述第2端子的上述一面的面积比率不同；两个上述第1端子的一方与两个上述第2端子的双方相邻而配置。2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，两个上述第1端子的间隔比两个上述第1端子的排列方向的宽度窄；两个上述第2端子的间隔比两个上述第2端子的排列方向的宽度窄；上述第1端子与两个上述第2端子的间隔比上述第1端子与上述第2端子的排列方向的宽度窄。3.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，上述第1半导体元件及上述第2半导体元件分别在表面形成有表面电极且在背面形成有背面电极；两个上述第1端子具有与上述第1半导体元件的上述背面电极对置配置并连接的第1背面用端子、以及经由第1桥接部件(3)而与上述第1半导体元件的上述表面电极连接的第1表面用端子；两个上述第2端子具有与上述第2半导体元件的上述背面电极对置配置并连接的第2背面用端子、以及经由第2桥接部件(4)而与上述第2半导体元件的上述表面电极连接的第2表面用端子；两个上述第1端子和两个上述第2端子配置为，上述第1背面用端子和上述第2表面用端子相邻、上述第2背面用端子和上述第1表面用端子相邻。4.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，上述第1半导体元件及上述第2半导体元件分别在表面形成有表面电极且在背面形成有背面电极；两个上述第1端子具有与上述第1半导体元件的上述背面电极对置配置并连接的...

【专利技术属性】
技术研发人员：深津明弘，长濑升，永谷利博，
申请(专利权)人：株式会社电装，
类型：发明
国别省市：