一种多芯片三维集成扇出型封装结构及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种多芯片三维集成扇出型封装结构及其制作方法，该封装结构包括载板和基板；载板上埋设有第一芯片，第一芯片和载板上覆盖有第一钝化膜层，第一钝化膜层上设有与第一芯片电连接的第一金属再布线层；第一金属再布线层上设有复合塑封结构；复合塑封结构中设有第二芯片；复合塑封结构上设有与第二芯片以及第一金属再布线层电连接的第二金属再布线层；第二金属再布线层上覆盖有第三钝化膜层；第三钝化膜层上设有第一信号导出结构；基板上设有第二信号导出结构以及第三金属再布线层；第一信号导出结构与基板的第三金属再布线层电连接。该封装结构采用一个硅基载板实现两层芯片的互联封装，降低了封装成本，可以实现大规模量产。现大规模量产。现大规模量产。

【技术实现步骤摘要】
一种多芯片三维集成扇出型封装结构及其制作方法


[0001]本专利技术涉及半导体芯片封装
，特别涉及一种多芯片三维集成扇出型封装结构及其制作方法。

技术介绍

[0002]随着手机、PDA、数码相机等移动消费型电子产品对功能集成、大存储空间、高可靠性及小型化封装的要求程度越来越高，在多芯片器件(MCM)X、Y平面内的二维封装的基础上，沿Z方向堆叠的更高密度的三维封装技术得到了充分发展。三维(3D)封装能减轻芯片互连所带来的延迟问题，当减小芯片面积时，能通过短的垂直互连方式来取代在二维结构中所需要的大量长的互连，这将极大地提高逻辑电路的特性。例如，在芯片的多重有源层的临界通道上可以互相紧密地放置多个逻辑门电路，并且还可以根据不同的电压需求或特新需求将门电路放在芯片不同的堆叠层上。同时，伴随着当下电子产品功能越来越丰富，扇入型封装结构I/O数量已无法满足产品需求，扇出型(Fan out，FO)封装结构作为晶圆级封装的一种，它的出现极大地增加了封装体的I/O数量，契合了芯片多功能化的发展方向。硅基扇出封装结构，以硅基作为载体，进行晶圆级封装加工，其本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种多芯片三维集成扇出型封装结构，其特征在于，包括芯片器件和基板组件；芯片器件包括载板，所述载板上开设有直槽，直槽内埋设有具有芯片PAD的第一芯片，第一芯片和载板表面上覆盖有一层第一钝化膜层，该第一钝化膜层上设有第一金属再布线层，该第一金属再布线层与第一芯片的芯片PAD电连接；该第一金属再布线层上设有复合塑封结构；该复合塑封结构包括堆叠在一起的塑封层和第二钝化膜层；所述塑封层中设有具有芯片PAD的第二芯片；该复合塑封结构中设有直通孔；该复合塑封结构上设有第二金属再布线层，该第二金属再布线层与第二芯片的芯片PAD电连接，且通过复合塑封结构的直通孔与第一金属再布线层电连接；第二金属再布线层上覆盖有具有导通孔的第三钝化膜层；第三钝化膜层的导通孔中设有第一信号导出结构，该第一信号导出结构与第二金属再布线层电连接；基板组件包括基板，所述基板的一面上设有第二信号导出结构，另一面上设有至少一层与第二信号导出结构电连接的第三金属再布线层，每层第三金属再布线层上分别覆盖有一层具有导通孔的第四钝化膜层；芯片器件与基板组件连接，其中，第一信号导出结构与基板的第三金属再布线层电连接。2.根据权利要求1所述的多芯片三维集成扇出型封装结构，其特征在于，所述复合塑封结构中，塑封层覆盖于第一金属再布线层上，塑封层上设有凹槽，第二芯片埋入该塑封层的凹槽中，第二钝化膜层覆盖于第二芯片以及塑封层上，且所述第二金属再布线层设置于第二钝化膜层上。3.根据权利要求1所述的多芯片三维集成扇出型封装结构，其特征在于，所述复合塑封结构中，第二钝化膜层覆盖于所述第一金属再布线层上，所述第二芯片贴装于所述第二钝化膜层上，塑封层包封在所述第二芯片上，且所述第二金属再布线层设置于塑封层上。4.根据权利要求1所述的多芯片三维集成扇出型封装结构，其特征在于，所述第一信号导出结构和第二信号导出结构均为锡球。5.根据权利要求1所述的多芯片三维集成扇出型封装结构，其特征在于，所述第一信号导出结构通过第一焊盘与第二金属再布线层电连接，所述第二信号导出结构通过第二焊盘与第三金属再布线层电连接。6.根据权利要求1所述的多芯片三维集成扇出型封装结构...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘吉康，马书英，王姣，
申请(专利权)人：华天科技昆山电子有限公司，
类型：发明
国别省市：