一种半导体封装结构制造技术

本发明专利技术提供一种半导体封装结构，该半导体封装结构包括：线路层、位于线路层上方的第一芯片和第二芯片，并且第一芯片与第二芯片之间具有间隔；半导体封装结构还包括底部填充物，位于第一芯片和第二芯片与线路层之间，并且，底部填充物具有延伸到第一芯片和第二芯片之间的间隔内的突出部分，突出部分具有曲面形突面。通过形成第一芯片和第二芯片之间的间隔内具有曲面形突面的突出部分，从而解决芯片角处由于应力集中而产生的裂缝问题。本发明专利技术还提供一种形成半导体封装结构的方法。一种形成半导体封装结构的方法。一种形成半导体封装结构的方法。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体封装结构


[0001]本专利技术涉及半导体
，更具体地，涉及一种半导体封装结构。

技术介绍

[0002]在基板上扇出芯片(FoCoS)封装中，在热循环过程中因各材料间的热膨胀系数(CTE)失配而使各材料彼此之间因热膨胀而产生应力。另外，参考图1所示，底部填充物(Under fill)18位于芯片12之间的间隙内。两个芯片12之间的芯片角10处为应力集中处，因在热循环中因热膨胀系数失配所产生的应力会集中于芯片角10处而无法释放，因此底部填充物18容易在该芯片角10处产生裂纹(Crack)11。并且，裂纹11可以直接往下延伸而破坏底部填充物18下面的聚酰亚胺(PI)层20和再分布线(RDL)22。

技术实现思路

[0003]针对现有技术中存在的裂缝问题，本专利技术的目的在于提供一种半导体封装结构，可以避免应力过于集中的问题。
[0004]在一些实施例中，提供一种半导体封装结构，半导体封装结构包括：线路层；第一芯片和第二芯片，位于线路层上方，并且第一芯片与第二芯片之间具有间隔；底部填充物，位于第一芯片和第二芯片与线路层之间，并且，底部填充物具有延伸到第一芯片和第二芯片之间的间隔内的突出部分，突出部分具有曲面形突面。
[0005]在一些实施例中，提供一种半导体封装结构，第一芯片和第二芯片的底面处具有电连接件，底部填充物的底面与电连接件的底面共平面。
[0006]在一些实施例中，提供一种半导体封装结构，还包括：强化层，位于线路层上方和底部填充物下方，强化层的上表面与线路层中的线路的上表面共平面。
[0007]在一些实施例中，提供一种半导体封装结构，与强化层的上表面共平面的线路层中的线路为通孔。
[0008]在一些实施例中，提供一种半导体封装结构，第一芯片和第二芯片的底面处具有电连接件，电连接件与线路层中的线路具有接合界面，接合界面的中心偏离电连接件的中心。
[0009]在一些实施例中，提供一种半导体封装结构，线路层中包括桥接线路，桥接线路的上表面与强化层的下表面共平面。
[0010]在一些实施例中，提供一种半导体封装结构，底部填充物与第一芯片和第二芯片的下表面接触，并且底部填充物与第一芯片和第二芯片的侧壁底部接触。
[0011]在一些实施例中，提供一种半导体封装结构，还包括：模塑料，至少部分地围绕第一芯片和第二芯片，并且模塑料位于间隔内的底部填充物上。
[0012]在一些实施例中，提供一种半导体封装结构，还包括：模塑料，至少部分地围绕第一芯片和第二芯片，模塑料的侧壁与底部填充物的侧壁共平面，强化层的侧壁与线路层的侧壁共平面。
[0013]在一些实施例中，提供一种半导体封装结构，在第一芯片和第二芯片的远离间隔的侧壁处，底部填充物具有外侧突出部分，外侧突出部分具有曲面形的突面。
[0014]在一些实施例中，提供一种形成半导体封装结构的方法，包括：在第一载体上覆盖底部填充物；将第一芯片和第二芯片放置在底部填充物上并去除第一载体，其中，在第一芯片和第二芯片之间形成底部填充物的曲面形突面的突出部分；形成线路层；将底部填充物、第一芯片和第二芯片附接在线路层上方。
[0015]在一些实施例中，提供一种形成半导体封装结构的方法，在将第一芯片和第二芯片放置在底部填充物上之后，底部填充物发生形变而在第一芯片和第二芯片之间的间隔内形成具有曲面形突面的突出部分，并且，还在第一芯片和第二芯片的远离间隔的侧壁处形成具有曲面形突面的外侧突出部分。
[0016]在一些实施例中，提供一种形成半导体封装结构的方法，在第一载体之后还包括：对底部填充物的表面进行研磨制程，以使得底部填充物与第一芯片和第二芯片的电连接件的表面共平面。
[0017]在一些实施例中，提供一种形成半导体封装结构的方法，形成所述线路层包括：在第二载体上覆盖强化层；在强化层上形成线路层。
[0018]在一些实施例中，提供一种形成半导体封装结构的方法，在强化层上形成线路层，包括：形成穿过强化层的通孔；在强化层上形成介电层和位于介电层中的线路，以形成线路层。
[0019]在一些实施例中，提供一种形成半导体封装结构的方法，形成线路层还包括：将线路层附接到基板上；去除第二载体，以暴露出强化层和穿过强化层的所述通孔。
[0020]在一些实施例中，提供一种形成半导体封装结构的方法，在去除第二载体之后，还包括：对强化层进行研磨制程，以使得强化层与通孔的表面共平面。
[0021]在一些实施例中，提供一种形成半导体封装结构的方法，在形成穿过强化层的通孔之后和形成介电层之前还包括：形成与穿过强化层的通孔连接的桥接线路。
[0022]在一些实施例中，提供一种形成半导体封装结构的方法，将第一芯片和第二芯片附接在线路层上方，包括：采用混合接合(Hybrid bonding)制程将第一芯片和第二芯片的电连接件与线路层中的通孔接合。
[0023]在一些实施例中，提供一种形成半导体封装结构的方法，在将第一芯片和第二芯片放置在底部填充物上之后，还包括：形成至少部分地围绕第一芯片和第二芯片的模塑料，模塑料位于间隔内的底部填充物上。
附图说明
[0024]图1为现有技术的封装结构中底部填充物裂纹的示意图。
[0025]图2A是根据本专利技术实施例的示意性半导体封装结构的截面图。
[0026]图2B是图2A中的区域40的放大示意图。
[0027]图2C是图2B中的半导体封装结构的沿1
‑
1截面的仰视图。
[0028]图2D是图2B中半导体封装结构的沿1
‑
1截面的俯视图。
[0029]图3A是传统的两个芯片之间未形成突出部分的示意图。
[0030]图3B是根据本专利技术实施例的两个芯片之间形成突出部分的示意图。
[0031]图4至图26是根据本专利技术其他实施例的形成半导体封装结构的方法的多个阶段的示意性截面图。
[0032]图27至图33分别是根据本专利技术其他实施例的半导体封装结构的示意图。
具体实施方式
[0033]应该理解，以下公开内容提供了许多用于实现本专利技术的不同部件的不同实施例或实例。下面描述了组件和布置的具体实例，以简化本专利技术。当然，这些仅仅是实例而不旨在限制。例如，在以下描述中，在第二部件上方或上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接触的实施例，也可以包括形成在第一部件和第二部件之间的附加部件使得第一部件和第二部件不直接接触的实施例。而且，本专利技术在各个实例中可以重复参考数字和/或字母。该重复仅是为了简明和清楚，其自身并不表示所论述的各个实施例和/或配置之间的关系。此外，为了简化和清楚的目的，可以以不同比例任意绘制各个部件。
[0034]而且，为便于描述，在此可以使用诸如“在
…
之下”、“在
…
下方”、“下部”、“在
…
之上”、“上部”等的空间相对术语，以描述如图所示的一个元件或部件与另一个本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：线路层；第一芯片和第二芯片，位于所述线路层上方，并且所述第一芯片与所述第二芯片之间具有间隔；底部填充物，位于所述第一芯片和所述第二芯片与所述线路层之间，并且，所述底部填充物具有延伸到所述第一芯片和所述第二芯片之间的所述间隔内的突出部分，所述突出部分具有曲面形突面。2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第一芯片和所述第二芯片的底面处具有电连接件，所述底部填充物的底面与所述电连接件的底面共平面。3.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括：强化层，位于所述线路层上方和所述底部填充物下方，所述强化层的上表面与所述线路层中的线路的上表面共平面。4.根据权利要求3所述的半导体封装结构，其特征在于，与所述强化层的上表面共平面的所述线路层中的所述线路为通孔。5.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第一芯片和所述第二芯片的底面处具有电连接件，所述电连接件与所述线路层中的线路具有接合界面，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕文隆，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：