【技术实现步骤摘要】
本技术属于半导体集成电路工艺
，具体涉及一种栅工艺中的多层膜结构。
技术介绍
在目前的半导体工艺中，有这样一种工艺其处理的过程是，在硅片上先形成沟槽，然后进行氧化，生成一层氧化膜作为栅。之后再生长一层掺磷的多晶硅，用多晶硅填满整个沟槽。在整个沟槽填满后再进行回刻，将没有沟槽处的多晶硅全部刻掉，而在沟槽里留下的多晶硅就用来作为栅极。上述栅工艺的处理基本上是一种单层膜单浓度结构。为了提高器件的速度，就要求增加多晶硅中掺磷的浓度来降低多晶硅的电阻，但当掺磷超过一定的浓度时，而且掺磷多晶硅超过一定厚度(由于沟槽要求全部填满)时，回刻之后的表面形状就有许多的凹陷，这种凹陷会带来两方面的问题1 如果发生在栅的附近，那么此处的栅就会在回刻中受到损伤，并且此处多晶硅的凹陷在后续工艺中还会带来其他问题。2 当凹陷发生在沟槽的中心时，使沟槽中心本来较深的凹陷变得更深，在后来生成金属膜时形成空洞。
技术实现思路
本技术的目的是提出一种新的保护栅的膜结构，以解决栅附近在回刻后出现凹陷的问题，使栅不受到损伤；同时可以减少回刻后沟槽中心的凹陷深度，使之在后来成长金属膜时不形成空洞，并且在...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：肖胜安，汪激洋，吴志丹，陈菊英，任昱，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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