半导体器件及显示设备制造技术

提供了一种高可靠性的半导体显示器件。半导体显示器件中的半导体层具有沟道形成区、ＬＤＤ区、源区和漏区，ＬＤＤ区与第一栅电极重叠，栅绝缘膜夹于其间。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及到半导体显示器件，它是使用半导体元件(半导体薄膜元件)。而且，本专利技术还涉及到在显示部分使用半导体显示器件的电子学设备。
技术介绍
采用制作在具有绝缘表面的衬底上的半导体薄膜(厚为几个至几百个纳米)以制作薄膜晶体管(TFT)的技术，近些年来已成为公众注意的中心。薄膜晶体管被广泛地用于电子学器件如I C以及半导体显示器件，特别是正迅速发展成为用于液晶显示和EL显示器件的开关元件。EL显示器件也称为有机EL显示器件(OELDs)和有机发光二极管(OLEDs)。EL显示器件是自发光的。EL器件具有这样的结构，其中一个含有有机化合物的层(EL层)夹于一对电极(一个阳极和一个阴极)之间，而且EL层通常具有叠层结构。一个典型的叠层结构的例子是由Eastman Kodak公司的Tang等开发的由空穴输运层、发光层和电子输运层构成的叠层结构。这种结构具有极高的发光效率，当前在研发的大多数EL显示器件都使用这种结构。对具有阳极层、EL层和阴极层的EL元件施加电场，则产生电致发光。在有机化合物中由单重激发态回到基态(荧光)或由三重激发态回到基态(磷光)都会产生发光，这两种发光在本专利本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ＥＬ显示器件，包括：形成在绝缘表面上的半导体膜；在半导体膜上的栅绝缘膜；在栅绝缘膜上的第一栅电极；在第一栅电极上的第二栅电极；其中半导体膜包括，沟道形成区，与沟道形成区接触的ＬＤＤ 区，与ＬＤＤ区接触的源区和漏区，其中第一栅电极沿沟道纵向的第一宽度比第二栅电极沿沟道纵向的第二宽度宽，以及其中ＬＤＤ区与第一栅电极重叠，并且栅绝缘膜介于其间。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：山崎舜平，小山润，须泽英臣，小野幸治，荒尾达也，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]