【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种，尤其涉及防止芯片龟裂的。
技术介绍
随着科技日新月异，集成电路元件几乎已达到无所不在的地步。然而，集成电路元件生产的流程非常复杂，基本上包括集成电路设计、晶片制造、晶片测试及晶片封装(package)等四大阶段，而约需经过数百个不同的步骤，耗时约一、两个月的时间才得以完成。为了量产及降低制造成本，晶片直径已由过去的四寸、五寸、六寸演变到十二寸，使得一片晶片上能同时制作更多芯片。集成电路元件的制造过程主要分为三个阶段硅芯片的制造、集成电路的制作及集成电路元件的封装等。在集成电路的制作过程中，通常会在晶片切割道上形成许多的监测用图案，例如对准标记、监视/测量图案、电性测试图案以及产品编号等等。另外，封装可说是完成集成电路成品的最后阶段，其工艺包括相当复杂的步骤，而第一步就是晶片切割。在一个硅晶片上，通常具有多个相互平行的水平切割道(scribe line)与多个相互垂直的垂直切割道，用以将多个芯片彼此分隔开。当晶片上的元件制作完成后，利用钻石刀具(diamond blade)沿着晶片的切割道切割，以得到多个芯片。由于晶片上覆盖有多种不同材料层，...
【技术保护点】
一种半导体结构，位于一晶片的一切割道区上且环绕该晶片的一芯片区，该半导体结构包括：多个介电层，依序配置于该切割道区上；以及多个图案化金属，配置于每一该些介电层中，且延伸至位于下方的部分该介电层中。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：郭建利，吴炳昌，饶瑞孟，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。