一种具有激光可焊性的高导热电子封装壳体的制备方法技术

本发明专利技术涉及一种电子芯片封装壳体的制备方法。一种具有激光可焊性的高导热电子封装壳体的制备方法，其特征在于它包括如下步骤：１）壳体底板的制备；２）梯度框架的制备；３）梯度框架与壳体底板的焊接；４）后处理，得产品。本发明专利技术利用脉冲电流烧结技术与线切割相结合制备梯度框架，将梯度框架与６０ＳｉＣ－３５Ａｌ－５Ｓｉ复合材料利用脉冲电流烧结设备焊接在一起形成壳体，利用机械加工进行后处理，获得所需形状的电子封装壳体。该电子封装壳体与可伐合金可进行激光焊接；本发明专利技术获得的电子封装壳体整体热导率大于１８０ｗ／ｍｋ，同时解决焊接问题，制备成本低。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种电子芯片封装壳体的制备方法。
技术介绍
在工程应用中为了对电子芯片进行保护与固定，通常需要将芯片进行封装处理。对封装材料的基本要求是良好的导热性，以有效散发芯片工作中产生的热量；与芯片接近的热膨胀系数，以缓解多次热循环造成的热应力，保证芯片性能稳定及耐久性。对于航空航天领域，要求封装材料密度尽量小。经过对材料体系的大量筛选，目前普遍认为SiC/Al复合材料是符合上述要求的最适合的优选体系。然而，高SiC含量的SiC/Al复合材料由于硬度高，无法用普通机械加工方法获得封装壳体。国外主要采用压力渗透的方法，即首先将SiC颗粒与有机黏结剂混合，预成型并烧结成多孔材料，再通过无压或压力渗透的方法将铝液渗入多孔体中。但目前国内对该工艺还无法完全掌握，经常出现微裂纹缺陷，或排粘不彻底而导致的热导率较低。国内也有研究者尝试用热压烧结或热挤压方法制备该体系的复合材料，但都存在一定问题。因为复合材料的热膨胀系数随SiC含量增加而降低，只有当SiC含量大于60vol％(体积百分比)，热膨胀系数才能达到与陶瓷芯片相匹配的要求。但热压烧结结果表明，获得致密烧结体的SiC含量极限是50-本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有激光可焊性的高导热电子封装壳体的制备方法，其特征在于它包括如下步骤：１）、壳体底板的制备：将平均粒径６微米的铝粉、平均粒径３０微米的硅粉和平均粒径为７０μｍ∶１５μｍ＝２∶１的碳化硅粉按照体积比３５∶５∶６０的比例混合，放入 石墨模具中，利用脉冲电流烧结技术进行烧结；烧结温度５３０℃－５５０℃，轴向压力４０ＭＰａ－５０ＭＰａ，平均升温速率５０℃／ｍｉｎ，保温５分钟，获得６０ＳｉＣ－３５Ａｌ－５Ｓｉ复合材料的壳体底板；２）梯度框架的制备：按下列梯度层选取各 梯度层原料：①底层组分按体积百分比为６０ＳｉＣ－３５Ａｌ－５Ｓｉ，ＳｉＣ粒径大小及配比为７０μｍ∶１５μ...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张东明，张联盟，顾晓峰，杨梅君，
申请(专利权)人：武汉理工大学，
类型：发明
国别省市：83[中国|武汉]