【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种集成电路的引线框架,尤其与其加工方法有关。
技术介绍
现有技术中,有一种集成电路引线框架如图1、图2、图2-l所 示,是由铜合金制成框架主体IO,框架主体10包括放置芯片(图中 未示出)的散热板101和连接芯片的引线102,在引线102与芯片连 接的一端镀有一层镍20,依据设计要求,散热片101上也镀有一层 镍20。其加工流程如图3所示,先在铜合金平板上贴塑料膜,将要镀镍 的部位(引线102的端部或整个散热板101)露出,然后,在暴露的 部位镀一层镍20,之后将塑料膜剥去,再进行冲压,并切去多余的 铜合金平板,形成散热片101和引线102,即制成局部镀镍的铜质引 线框架。仔细分析上述加工方法,不难发现其存在的缺陷-一、 采用贴塑料膜的方式进行局部镀镍,在塑料膜上也会附着大 量的镍材料,而塑料膜上的镍毫无用处,最终会随塑料膜的揭去而抛 弃,不仅造成极大浪费,而且产生工业污染;二、 塑料膜在贴附过程中容易产生偏差,使暴露的局部出现偏差, 最终导致镀镍的位置不准确,影响产品的质量;三、 塑料膜贴附在铜合金平板上边缘容易出现贴不紧,如果产生 间隙,电镀时镀液会由此间隙浸入,造成漏镀(所谓漏镀是指在不需要电镀处进行电镀),浪费电镀材料,影响产品的质量;四、 剥除塑料膜的过程中,容易造成铜合金平板材料变形,对冲 压工序造成不利影响;五、 局部镀镍后再冲压成型,冲压的过程中也容易产生偏差,使 冲出产品的镀镍部位出现偏差,影响产品的品质;六、 先电镀再冲压成型,冲压出来的废料(铜合金)中也含有镍, 废料的回收价值同纯铜合金相比大打折扣,从而减少废料回 ...
【技术保护点】
集成电路的引线框架加工方法,其特征在于: 先将铜合金平板冲压成型框架主体,成型的框架主体包括放置芯片的散热板和连接芯片的引线; 再利用两个模具将框架主体夹紧,并将要镀镍的部位暴露出来; 然后,在模具夹紧的状态下,在暴露的部位镀一层镍; 最后,脱模,得到局部镀镍的铜质引线框架。
【技术特征摘要】
1、集成电路的引线框架加工方法,其特征在于先将铜合金平板冲压成型框架主体,成型的框架主体包括放置芯片的散热板和连接芯片的引线;再利用两...
【专利技术属性】
技术研发人员:王锋涛,林桂贤,陈仲贤,许金围,李南生,
申请(专利权)人:厦门永红科技有限公司,
类型:发明
国别省市:92[]
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