本发明专利技术公开了一种双电极静电卡盘，包括绝缘层，绝缘层内设有第一直流电极和第二直流电极，第一直流电极和第二直流电极分别包括多个环形导体，两个直流电极的多个环形导体相互间隔分布，其下方分别设有连接装置，第一直流电极和第二直流电极的多个环形导体分别通过对应的连接装置连接。连接装置包括连接板，连接板上连接有多个导通柱，每个导通柱连接有一个环形导体。使第一直流电极和第二直流电极的环形导体可以形成完全对称的环形结构，可在静电卡盘和晶片之间实现分布均匀的静电吸附力。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体加工设备部件，尤其涉及一种双电极静电卡盘。
技术介绍
在半导体晶片加工设备中，静电卡盘用于在半导体工艺期间或晶片传送期间将晶片支 撑并且吸附在工艺腔室或运输设备内。双电极静电卡盘为在半导体行业中普遍使用的静电 卡盘中的一种。如图l所示，通过直流电源为双电极静电卡盘的第一直流电极l和第二直流电极2供 电，其中第一直流电极l为正，第二直流电极2为负。从而在放置在其上的晶片上感应出对 应的负和正电荷，感应出的电荷与直流电极l、 2上的电荷之间的静电引力将晶片吸引在静 电卡盘表面。如果静电卡盘和晶片之间的吸附力在整个晶片区域上存在分布不均匀，则直 接影响晶片和静电卡盘表面之间的接附状态，进而影响导热率，从而导致晶片表面的温度 不均匀，或影响其它的工艺参数。对于双电极静电卡盘来说，由于第一直流电极1和第二直流电极2携带不同的电荷，将 会对晶片产生不同大小的吸附力。如图2、图3所示，现有技术中双电极静电卡盘的绝缘层4内设有电极层3，第一直流电 极1和第二直流电极2分别为多环形结构，布置在电极层3内，属于同一电极的多个环通过连 接部分连通。上述现有技术至少存在以下缺点由于需要将多个环形电极连接为两个直流电极，需 要在环形电极上形成将多个环形电极连接到一起的连接部分，导致电极不能完全对称地分 布，依然会对静电卡盘吸附力的均匀性产生一定的影响。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种能产生均匀的吸附力的双电极静电卡盘。本专利技术的目的是通过以下技术方案实现的本专利技术的双电极静电卡盘，包括绝缘层，所述的绝缘层内设有第一直流电极和第二直 流电极，所述第一直流电极和第二直流电极分别包括多个环形导体，两个直流电极的多个环形导体相互间隔分布，所述第一直流电极和第二直流电极的下方分别设有连接装置，所 述第一直流电极和第二直流电极的多个环形导体分别通过对应的连接装置连接。由上述本专利技术提供的技术方案可以看出，本专利技术所述的双电极静电卡盘，由于第一直 流电极和第二直流电极分别包括多个环形导体，两个直流电极的多个环形导体相互间隔分 布，第一直流电极和第二直流电极的下方分别设有连接装置，第一直流电极和第二直流'li 极的多个环形导体分别通过对应的连接装置连接。第一直流电极和第二直流电极的环形导 体便可以形成完全对称的环形结构，使双电极静电卡盘能产生均匀的吸附力。附图说明图l为现有技术中双电极静电卡盘的工作原理图2为现有技术中双电极静电卡盘的电极平面布置示意图;图3为现有技术中双电极静电卡盘的立面剖视图4为本专利技术的双电极静电卡盘的电极平面布置示意图5为本专利技术的双电极静电卡盘的立面剖视图6为本专利技术中导通层的平面结构示意图7为本专利技术中连接层的平面结构示意图。具体实施例方式本专利技术的双电极静电卡盘，其较佳的具体实施方式如图4、图5所示，包括绝缘层4， 绝缘层4内设有第一直流电极1和第二直流电极2，所述第一直流电极1和第二直流电极2分别 包括多个环形导体，两个直流电极l、 2的多个环形导体相互间隔分布，所述第一直流电极l 和第二直流电极2的下方分别设有连接装置，所述第一直流电极1和第二直流电极2的多个环 形导体分别通过对应的连接装置连接。第一直流电极1和第二直流电极2的环形导体便可以 形成完全对称的环形结构。如图6、图7所示，所述的连接装置包括连接板9、 10，所述的连接板9、 IO上连接有多 个导通柱7、 8，每个导通柱7、 8连接有一个环形导体。其中，第一直流电极l的多个环形导 体通过第一导通柱7和第一连接板9相互连接在一起，形成一个整体的电极；第二直流电极2 的多个环形导体通过第二导通柱8和第二连接板10相互连接在一起，形成一个整体的电极。具体可以在绝缘层4内设有直流电极层3、导通层5和连接层6，所述第一直流电极l和 第二直流电极2设于直流电极层3内，所述导通柱7、 8设于导通层5内，连接板9、 IO设置在 连接层6内。本专利技术实现了双电极静电卡盘的完全对称的多环形直流电极，消除了直流电极中的不 对称部分，可在静电卡盘和晶片之间实现分布均匀的静电吸附力。以上所述，仅为本专利技术较佳的具体实施方式，但本专利技术的保护范围并不局限于此，任 何熟悉本
的技术人员在本专利技术揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都 应涵盖在本专利技术的保护范围之内。权利要求1、一种双电极静电卡盘，包括绝缘层，其特征在于，所述的绝缘层内设有第一直流电极和第二直流电极，所述第一直流电极和第二直流电极分别包括多个环形导体，两个直流电极的多个环形导体相互间隔分布，所述第一直流电极和第二直流电极的下方分别设有连接装置，所述第一直流电极和第二直流电极的多个环形导体分别通过对应的连接装置连接。2、 根据权利要求l所述的双电极静电卡盘，其特征在于，所述的连接装置包括连接 板，所述的连接板上连接有多个导通柱，每个导通柱连接有一个所述环形导体。3、 根据权利要求2所述的双电极静电卡盘，其特征在于，所述的绝缘层内设有直流电 极层、导通层和连接层，所述第一直流电极和第二直流电极设于所述直流电极层内，所述 导通柱和连接板分别设于所述导通层和连接层内。全文摘要本专利技术公开了一种双电极静电卡盘，包括绝缘层，绝缘层内设有第一直流电极和第二直流电极，第一直流电极和第二直流电极分别包括多个环形导体，两个直流电极的多个环形导体相互间隔分布，其下方分别设有连接装置，第一直流电极和第二直流电极的多个环形导体分别通过对应的连接装置连接。连接装置包括连接板，连接板上连接有多个导通柱，每个导通柱连接有一个环形导体。使第一直流电极和第二直流电极的环形导体可以形成完全对称的环形结构，可在静电卡盘和晶片之间实现分布均匀的静电吸附力。文档编号C23C16/458GK101378029SQ20071012113公开日2009年3月4日 申请日期2007年8月30日 优先权日2007年8月30日专利技术者刘利坚 申请人:北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种双电极静电卡盘，包括绝缘层，其特征在于，所述的绝缘层内设有第一直流电极和第二直流电极，所述第一直流电极和第二直流电极分别包括多个环形导体，两个直流电极的多个环形导体相互间隔分布，所述第一直流电极和第二直流电极的下方分别设有连接装置，所述第一直流电极和第二直流电极的多个环形导体分别通过对应的连接装置连接。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：刘利坚，
申请(专利权)人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]
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