研磨液制造技术

[课题]本发明专利技术提供一种研磨液，与使用仅溶解有通过水解显示出碱性的有机盐的水溶液作为研磨液的情况相比，该研磨液可提高研磨速率，并且不含有金属。[解决手段]本发明专利技术提供一种研磨液，其是使用将磨粒固定于垫中而成的固定磨粒研磨垫对晶片的一个面进行研磨时所使用的研磨液，其中，该研磨液溶解有通过水解显示出碱性且不含有金属的有机盐、以及不含有金属的有机碱，并且不含有磨粒。优选的是，有机盐由强碱的阳离子和弱酸的阴离子构成，有机碱包含氨、胺以及碱性氨基酸中的一种以上。胺以及碱性氨基酸中的一种以上。胺以及碱性氨基酸中的一种以上。

【技术实现步骤摘要】
研磨液


[0001]本专利技术涉及在对晶片进行研磨时使用的研磨液。

技术介绍

[0002]在移动电话、个人电脑等电子设备中搭载有器件芯片。器件芯片例如通过对在表面侧形成有IC(Integrated Circuit，集成电路)、LSI(Large Scale Integration，大规模集成电路)等器件的硅制晶片进行加工来制造。
[0003]具体地说，首先使用磨削装置对晶片的背面侧进行粗磨削，接着对该背面侧进行精加工磨削，由此将晶片减薄至规定的厚度(例如参见专利文献1)。通常，在磨削工序中，在被磨削面上残留有磨削痕(锯痕)，因此，在磨削工序后，使用CMP(Chemical Mechanical Polishing：化学机械研磨)装置对晶片的背面侧进行研磨而除去锯痕(例如参见专利文献2)。在研磨工序后，使用切削装置，将晶片分割成多个器件芯片。
[0004]对研磨装置的一例(对晶片的下表面侧进行研磨的面朝下方式)进行说明，研磨装置具有可绕着大致平行于铅直方向的旋转轴旋转的圆形的平台。在平台的上表面固定有圆盘状的研磨垫。作为研磨垫，例如使用含有磨粒的固定磨粒研磨垫。另外，在固定磨粒研磨垫的上方配置有用于供给研磨液的喷嘴。
[0005]在固定磨粒研磨垫的上方中与喷嘴不同的区域配置有可绕着大致平行于铅直方向的旋转轴旋转、可吸引保持晶片的圆盘状的载体。在对晶片进行研磨时，首先利用载体的保持面保持晶片的上表面侧。
[0006]之后，向旋转的固定磨粒研磨垫的上表面供给研磨液的同时，一边使晶片旋转一边将晶片的下表面侧按压在固定磨粒研磨垫的上表面。通过晶片的下表面侧与包含研磨液的固定磨粒研磨垫的上表面侧的化学作用和机械作用，对晶片的下表面侧进行研磨。
[0007]现有技术文献
[0008]专利文献
[0009]专利文献1：日本特开2000
‑
288881号公报
[0010]专利文献2：日本特开平8
‑
99265号公报

技术实现思路

[0011]专利技术所要解决的课题
[0012]作为研磨液，例如使用溶解有通过水解显示出碱性的无机盐的水溶液。但是，该无机盐通常由通式：M(OH)
n
(其中，M构成阳离子M
n+
，n为1以上的整数)所表示的强碱的阳离子和弱酸的阴离子构成。
[0013]作为强碱的阳离子，通常使用钾离子、钠离子等碱金属阳离子、钙离子、钡离子等碱土金属阳离子。
[0014]研磨液含有规定浓度以上的金属离子的情况下，使用后的废弃处理变得复杂，并且在由于含有金属离子而使研磨液成为特定有害物质的情况下，处理变得不容易。因此，使
用者希望使用不含有金属离子的研磨液。
[0015]因此，考虑使用不含有金属且通过水解显示出碱性的有机盐来代替通过水解显示出碱性的含金属无机盐。但是，仅溶解有该有机盐的水溶液的研磨速率比较低，可能无法实现所期望的研磨速率。
[0016]本专利技术是鉴于上述问题而完成的，提供一种研磨液，与使用仅溶解有通过水解显示出碱性的有机盐的水溶液作为研磨液的情况相比，本专利技术的研磨液能够提高研磨速率，并且不含有金属。
[0017]用于解决课题的手段
[0018]根据本专利技术的一个方式，提供一种研磨液，其是使用将磨粒固定于垫中而成的固定磨粒研磨垫对晶片的一个面进行研磨时所使用的研磨液，其特征在于，该研磨液溶解有通过水解显示出碱性且不含有金属的有机盐、以及不含有金属的有机碱，该研磨液不含有磨粒。
[0019]优选的是，上述有机盐由强碱的阳离子和弱酸的阴离子构成，上述有机碱包含氨、胺、碱性的氨基酸中的一种以上。
[0020]另外，优选的是，上述有机盐为0.50wt％以上，上述有机碱为0.025wt％以上。
[0021]专利技术的效果
[0022]本专利技术的一个方式的研磨液中溶解有通过水解显示出碱性且不含有金属的有机盐、以及不含有金属的有机碱。通过有机盐和有机碱的作用，与使用仅溶解有通过水解显示出碱性的有机盐的水溶液作为研磨液的情况相比，能够提高研磨速率。此外，由于该研磨液中不含有磨粒，因此具有不会像使用游离磨粒那样装置内部、被加工物被磨粒污染的优点。
附图说明
[0023]图1是示出研磨装置的概况的截面图。
[0024]图2是示出使碳酸胍的浓度为各种值时的研磨速率的图。
[0025]图3是示出改变有机碱相对于有机盐的重量比时的研磨速率的图。
[0026]图4是示出反复进行10次5分钟研磨时的研磨速率的推移的图。
具体实施方式
[0027]参照附图对本专利技术的一个方式的实施方式进行说明。首先对本实施方式中使用的研磨液进行说明。需要说明的是，本实施方式中，以使用在研磨垫中固定有磨粒的固定磨粒研磨垫为前提。因此，作为固定磨粒研磨垫用的研磨液，使用不含有磨粒的研磨液。
[0028]另外，为了使用不含有金属的研磨液，考虑使用仅溶解有通过水解显示出碱性且不含有金属的有机盐的研磨液，但该研磨液具有研磨速率比较低的缺点。
[0029]但是，在使用该研磨液的情况下，尽管研磨速率比较低，但不容易发生因研磨屑所致的固定磨粒研磨垫的堵塞，因此具有不容易产生研磨速率(每单位时间内除去的晶片的厚度)的经时性降低的优点。
[0030]另一方面，为了与仅溶解有通过水解显示出碱性且不含有金属的有机盐的研磨液相比提高化学蚀刻效果，考虑使用溶解有有机碱的研磨液来代替仅溶解有该有机盐的研磨液。
[0031]但是，在使用不包含磨粒且仅溶解有不含有金属的有机碱的研磨液作为固定磨粒研磨垫用的研磨液的情况下，研磨屑会堵塞固定磨粒研磨垫的气孔，由此降低在垫中保持研磨液的固定磨粒研磨垫的保持性能。因此容易产生研磨速率的经时性降低。
[0032]鉴于上述情况，本申请人考虑是否可以通过合用上述有机盐和有机碱来利用有机碱的优点弥补有机盐的缺点，并且利用有机盐的优点弥补有机碱的缺点。
[0033]即，考虑通过合用有机盐和有机碱，与仅使用有机盐的情况相比提高研磨速率，并且，与仅使用有机碱的情况相比不容易产生研磨速率的经时性降低。
[0034](研磨液)
[0035]本实施方式的研磨液在纯水中溶解有通过水解显示出碱性的有机盐、以及有机碱，并且不含有磨粒。需要说明的是，该有机盐和该有机碱均不含有金属。详细地说，如下文所述，在研磨液24中，优选使有机盐为0.50wt％以上、并且使有机碱为0.025wt％以上。
[0036]该有机盐是水溶性的盐，由不含有金属的强碱的阳离子以及弱酸的阴离子构成。作为强碱的阳离子，例如使用含氮原子的有机碱。作为含氮原子的有机碱，例如使用胍(guanidine)或其衍生物。另外，作为弱酸的阴离子，优选碳酸、磷酸、草酸、乙酸、甲酸、硅酸等的阴离子。
[0037]有机碱包含在水溶液中显示出碱性的氨、胺(amine)以及碱性氨基酸中的一种以上。作为碱性氨基酸，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种研磨液，其是使用将磨粒固定于垫中而成的固定磨粒研磨垫对晶片的一个面进行研磨时所使用的研磨液，其特征在于，该研磨液溶解有通过水解显示出碱性且不含有金属的有机盐、以及不含有金属的有机碱，该研磨液不含有磨粒。2.如权利要求1所述的研...

【专利技术属性】
技术研发人员：酒井步，有福法久，佐藤武志，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：