【技术实现步骤摘要】
一种硅单晶研磨剂及其制备方法与应用
[0001]本专利技术涉及研磨抛光
，尤其涉及一种硅单晶研磨剂及其制备方法与应用。
技术介绍
[0002]芯片是将电子元件与布线互联一起，制作在半导体晶片上，封装于管壳内的微型电子器件，也称集成电路。其制造过程体现着工程技术、材料技术、设计水平的完美融合。未来世界人类将进入智能化社会，更微小、多功能芯片正迎合社会的迫切需求，开发潜力巨大。芯片制造是当前我国电子信息产业的重大短板，制造出拥有自研能力，自主设计的芯片，拉近与国际高端技术的差距，有助于提高国家创新能力，推进供给侧结构性改革，实现制造业高质量发展，具有重大现实利益和长远战略意义。
[0003]半导体芯片的制造工艺主要分为单晶硅片制作、晶圆涂膜、光刻显影、离子注入、测试封装等几大步骤，其中作为前期关键环节，单晶硅片制作工艺已成为整段流程的重要支点，生产的硅晶圆是所有集成电路芯片的制作母材。单晶硅片磨削作为此中必不可少的一项工艺，如何将粗质单晶硅片抛光成为粗糙度低、损伤少、裂纹小的超光滑表面，并保持高效研磨速率，成为当前...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种硅单晶研磨剂，其特征在于其原料包括以下质量份数的组分：β
‑
SiC微粉8～12份，立方氮化硼微粉1～5份，六方氮化硼微粉1～3份，聚丙烯酰胺3～5份、葡萄糖酸钠4～6份、聚乙二醇4～6份、四甲基氢氧化铵4～6份、水性聚酯润滑剂2～4份、烷基酚聚氧乙烯醚型季铵盐表面活性剂6～10份；水35～45份；所述烷基酚聚氧乙烯醚型季铵盐表面活性剂的合成方法为：将三乙胺、环氧溴丙烷混合后进行加热反应，然后在所得反应产物中加入烷基酚聚氧乙烯醚和碱，并进行加热反应，得到烷基酚聚氧乙烯醚型季铵盐表面活性剂。2.根据权利要求1所述的硅单晶研磨剂，其特征在于：所述三乙胺、环氧溴丙烷与烷基酚聚氧乙烯醚的摩尔比为1～3:1～3:1～3。3.根据权利要求1所述的硅单晶研磨剂，其特征在于：第一次所述加热反应的温度为50～70℃，时间为1～2h；第二次所述加热反应的温度为70～100℃，时间为10～14h。4.根据权利要求1所述的硅单晶研磨剂，其特征在于所述烷基酚聚氧乙烯醚型季铵盐表面活性剂的合成方法为：将三乙胺与氯丙烯在加热条件下混合反应，向反应产物中通入氯化氢，形成A液；烷基酚聚氧乙烯醚与碱混合搅拌，去除水分所得反应产物作为B液；将A液和B液混合，加热进行Williamson合成醚反应，产物经萃取、洗涤、减压蒸馏，得到烷基酚聚氧乙烯醚型季铵盐表面活性剂。5.根据权利要求4所述的硅单晶研磨剂，其特征在于：所述三乙胺、氯丙烯、氯化氢、烷基酚聚氧乙烯醚和碱的摩尔比为1：1：(1～3)：1：(1～3)；所述三乙胺与氯丙烯的加热条件为反应温度为50～70℃，时间为1～2h；所述Williamson合成醚反应的温度为80～100℃，时间为6～10h。6.根据权利要求1所述的硅单晶研磨剂...
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