成膜装置以及电子器件的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供能够容易地把握成膜源的动作状况的成膜装置以及电子器件的制造方法。该成膜装置通过溅射在基板上进行成膜，其特征在于，具备：腔室，收容基板；成膜源，包含配置于腔室内的与基板相向的位置的包含成膜材料的靶以及在靶的周围产生磁场的磁场产生部件；驱动部件，使靶与磁场产生部件的相对位置位移；以及显示部，显示相对位置的信息。显示相对位置的信息。显示相对位置的信息。

【技术实现步骤摘要】
成膜装置以及电子器件的制造方法


[0001]本专利技术涉及通过溅射在基板上形成薄膜的成膜装置以及电子器件的制造方法。

技术介绍

[0002]在通过溅射在基板上形成薄膜的成膜装置(也称为溅射装置或溅镀装置)中，特别是在使用旋转阴极作为成膜源的情况下，通过目视确认其动作状态并不容易。成为旋转阴极的一部分的圆筒状靶的表面成为平滑的形状，难以判别其旋转方向、原本是否正在旋转。在成膜装置的腔室设置有用于窥视内部的窗，但腔室内部较暗，因此更难以通过目视确认。
[0003]另外，有时由于附着于靶表面的颗粒的影响而产生发弧(异常放电)。成为发弧的原因的颗粒需要从靶表面去除，但如上所述，把握在靶表面的哪个部位附着有颗粒(在哪个部位产生发弧)并不容易。产生发弧的情况本身能够通过监视等离子体的放电状态来检测(专利文献1)，但其产生场所只能由作业员通过目视找到，存在维护作业的负荷、时间增大的情况。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：日本特开2006
‑
083404号公报

技术实现思路

[0007]专利技术所要解决的课题
[0008]本专利技术的目的在于提供一种能够容易地把握成膜源的动作状况的技术。
[0009]用于解决课题的方案
[0010]为了实现上述目的，本专利技术的成膜装置通过溅射在基板上进行成膜，其特征在于，
[0011]该成膜装置具备：
[0012]腔室，收容所述基板；
[0013]成膜源，包含靶和磁场产生部件，所述靶配置于所述腔室内的与所述基板相向的位置，且该靶包含成膜材料，所述磁场产生部件在所述靶的周围产生磁场；
[0014]驱动部件，使所述靶与所述磁场产生部件的相对位置位移；以及
[0015]显示部，显示所述相对位置的信息。
[0016]专利技术的效果
[0017]根据本专利技术，能够容易地把握成膜源的动作状况。
附图说明
[0018]图1是本专利技术的实施例的成膜装置的示意性剖视图。
[0019]图2是表示本专利技术的实施例中的靶驱动装置的结构的示意性剖视图。
[0020]图3是表示本专利技术的实施例的成膜装置的控制结构的框图。
[0021]图4是表示本专利技术的实施例中的操作画面的一例的示意图。
[0022][附图标记的说明][0023]1…
成膜装置、10
…
基板、11
…
被成膜面、2
…
溅射室、3
…
阴极单元、30
…
靶、31
…
磁铁单元、32
…
壳体(阴极电极)、5
…
控制部、6
…
操作面板、61
…
显示部。
具体实施方式
[0024]以下，参照附图对本专利技术的优选的实施方式以及实施例进行说明。但是，以下的实施方式和实施例只不过是例示性地表示本专利技术的优选结构，本专利技术的范围并不限定于这些结构。另外，以下的说明中的装置的硬件结构以及软件结构、处理流程、制造条件、尺寸、材质、形状等只要没有特定的记载，就不是将本专利技术的范围仅限定于此的意思。
[0025](实施例1)
[0026][成膜装置][0027]参照图1～图4，对本专利技术的实施例1的成膜装置进行说明。本实施例的成膜装置是在圆筒形状的靶内侧配置有磁铁单元的磁控管方式的溅射装置。本实施例的成膜装置用于在半导体器件、磁器件、电子部件等各种电子器件、光学部件等的制造中在基板(也包含在基板上形成有层叠体的基板)上堆积形成薄膜。更具体而言，本实施例的成膜装置优选在发光元件、光电转换元件、触摸面板等电子器件的制造中使用。其中，本实施例的成膜装置能够特别优选应用于有机EL(Erectro Luminescence：电致发光)元件等有机发光元件、有机薄膜太阳能电池等有机光电转换元件的制造。另外，本专利技术中的电子器件还包含具备发光元件的显示装置(例如有机EL显示装置)、照明装置(例如有机EL照明装置)、具备光电转换元件的传感器(例如有机CMOS图像传感器)。本实施例的成膜装置能够用作包含蒸镀装置等的成膜系统的一部分。
[0028]本实施例的成膜装置例如用于有机EL元件的制造。在有机EL元件的情况下，通常为在基板上按照阳极、空穴注入层、空穴输送层、有机发光层、电子输送层、电子注入层、阴极的顺序成膜的结构。本实施例的成膜装置在通过溅射在有机膜上形成电子注入层、电极(阴极)中使用的金属、金属氧化物等的层叠被膜时适合使用。另外，并不限定于在有机膜上成膜，只要是金属材料、氧化物材料等能够通过溅射成膜的材料的组合，就能够在多样的面上层叠成膜。
[0029]图1是表示本实施例的成膜装置的整体结构的示意性侧剖视图。图2是表示本实施例中的靶驱动装置的结构的示意性剖视图，是与将图1所示的成膜装置1的中央纵向切断的截面大致相当的示意性剖视图。图3是表示专利技术的实施例的成膜装置的控制结构的框图。图4是表示本专利技术的实施例中的操作画面的一例的示意图。
[0030]如图1所示，本实施例的成膜装置(溅射装置)1具备作为腔室的溅射室(成膜室)2和配置在溅射室2内的作为成膜源的阴极单元3。作为成膜处理对象物的基板10经由未图示的门式阀相对于溅射室2被搬入、搬出。在溅射室2分别连接有由低温泵、TMP(涡轮分子泵)等构成的排气装置23和向室内供给溅射气体的气体供给源24。
[0031]如图2所示，基板10在溅射室2内载置(保持)于基板保持架20，沿着相对于阴极单元3以规定的相向距离延伸的搬送引导件22以恒定的速度被搬送。在基板保持架20设置有使基板10的被成膜面(被处理面)11开放的开口部21，经由该开口部21对被成膜面11实施成膜处理。
[0032][溅射腔室和阴极单元][0033]如图1、图2所示，溅射室2在上方设置有基板10的搬送路径，在其下方配置有阴极单元3。溅射室2通过排气装置23，更具体而言通过与排气装置23连接的阀的开度，作为真空气氛，被调整为适合于溅射工艺的压力(例如，2
×
10Pa～2
×
10
‑5Pa)。需要说明的是，在本说明书中，“真空”是指被压力比大气压低的气体充满的状态。另外，从气体供给源24对溅射气体进行流量控制而向溅射室2的内部供给溅射气体。由此，在溅射室2的内部形成溅射气氛。作为溅射气体，例如使用Ar、Kr、Xe等稀有气体、成膜用的反应性气体。
[0034]阴极单元3具备靶30、磁铁单元31以及作为支承靶30的阴极电极的壳体(支承构件)32。靶30是成形为圆筒形状的成膜材料，在与基板10的搬送路径隔开规定的距离的位置，以与基板10的被成膜面11平行且中心轴线(或母线)成为与基板10的搬送方向正交的方向的方式配置。靶30的内周面与作为阴极电极的壳体32的外表面贴紧。磁铁单元31配置于靶30(作为阴极电极的壳体32)的内侧的中空部。在壳体32本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种成膜装置，通过溅射在基板上进行成膜，其特征在于，该成膜装置具备：腔室，收容所述基板；成膜源，包含靶和磁场产生部件，所述靶配置于所述腔室内的与所述基板相向的位置，且该靶包含成膜材料，所述磁场产生部件在所述靶的周围产生磁场；驱动部件，使所述靶与所述磁场产生部件的相对位置位移；以及显示部，显示所述相对位置的信息。2.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，该成膜装置具备取得所述相对位置的信息的取得部件，所述显示部显示所述取得部件所取得的所述相对位置的信息。3.根据权利要求2所述的成膜装置，其特征在于，所述取得部件隔着规定的时间间隔多次取得所述相对位置的信息，根据所述取得部件对所述相对位置的信息的取得，所述显示部更新所显示的所述相对位置的信息。4.根据权利要求2所述的成膜装置，其特征在于，所述显示部使用表示所述靶的基准位置的第一显示要素和表示所述磁场产生部件的基准位置的第二显示要素来显示所述相对位置的信息，根据所述相对位置的信息，使所述第一显示要素的显示位置与所述第二显示要素的显示位置的相对位置关系变化。5.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，所述靶是圆筒形，所述磁场产生部件配置在被所述靶的内周面包围的位置，所述驱动部件以所述靶的中心轴为旋转轴，使所述靶与所述磁场产生部件相对旋转。6.根据权利要求5所述的成膜装置，其特征在于，所述显示部使用绕所述旋转轴的所述靶的基准位置和所述磁场产生部件的基准位置来显示所述相对位置的信息。7.根据权利要求5所述的成膜装置，其特征在于，所述显示部使用表示所述靶的基准位置的第一显示要素和表示所述磁场产生部件的基准位置的第二显示要素来显示所述相对位置的信息，基于所述靶的旋转量，使所述第一显示要素的显示位置在第一圆轨道上位移，基于所述磁场产生部件的旋转量，使所述第二显示要素的显示位置在与所述第一圆轨道同心的第二圆轨道上位移。8.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，该成膜装置还具备：支承构件，支承所述靶；电压施加部件，将所述支承构件作为阴极，将所述腔室作为阳极，对所述支承构件施加电压；以及电压检测部件，检测所述电压施加部件施加的电压。
9.根据权利要求8所述的成膜装置，其特征在于，所述显示部将所述电压检测部件检测的电压超过规定的大小时的所述相对位置的信息作为所述相对位置的信息进行显示。10.根据权利要求8所述的成膜装置，其特征在于，该成膜装置还具备存储部件，该存储部件存储所述电压检测部件检测的电压超过规定的大小的时刻的所述相对位置的信息，所述显示部将所述存储部件存储的所述相对位置的信息作为产生了异常放电时的所述相对位置的信息进行显示。11.根据权利要求8所述的成膜装置，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：山崎将大，内田敏治，
申请(专利权)人：佳能特机株式会社，
类型：发明
国别省市：