一种槽栅SOI LIGBT器件制造技术

一种槽栅ＳＯＩ　ＬＩＧＢＴ器件，涉及半导体功率器件技术。本发明专利技术包括衬底、埋氧层、Ｎ型缓冲层、阳极Ｐ↑［＋］区、阳极金属、Ｎ型漂移区、场氧化层、金属前介质层、Ｐ↑［＋］区、Ｎ↑［＋］区、多晶硅槽栅、ＬＩＧＢＴ器件栅氧化层、Ｐ型沟道区、多晶硅槽栅金属和阴极金属，阴极金属与Ｐ↑［＋］区和Ｎ↑［＋］区连接，Ｐ↑［＋］区１０位于Ｎ↑［＋］区１１和阳极Ｐ↑［＋］区４之间。本发明专利技术降低了栅氧化层附近的电场强度，防止了热载流子注入到栅氧中，增强了器件的可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体功率器件技术。
技术介绍
横向绝缘栅双极型晶体管LIGBT (Lateral Insulated-Gate Bipolar Transistor)常用于高压功率驱动集成电路的输出级，以改进横向双扩 散金属氧化物半导体场效应晶体管LDMOS (Lateral Double-diffused MOSFET)耐压与导通电阻之间的矛盾。SOI技术以其理想的介质隔 离性能、相对简单的介质隔离工艺、使得SOI器件具有寄生效应小、 速度快、功耗低、集成度高、抗辐照能力强等优点。基于SOI技术的 可集成LIGBT器件，由于有源器件与材料衬底和其他高低压器件间采 用完全的介质隔离，有利于避免LIGBT器件发生闩锁效应，且器件易 作为高端或低端开关与其他高低压器件一起单片集成于高压功率集 成电路中。图1给出了传统n沟道LIGBT器件结构图。其中，1为P型或N型 衬底，2为埋氧层，6为N型漂移区，3为与N型漂移区6掺杂类型相 同的N型缓冲层，4为阳极P+区，其上有阳极金属5， 7为场氧化层， 8为金属前介质层，12为多晶硅栅，13为LIGBT器件栅氧化层，15 为多晶硅栅金属，14本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种槽栅ＳＯＩ　ＬＩＧＢＴ器件，包括衬底（１）、埋氧层（２）、Ｎ型缓冲层（３）、阳极Ｐ↑［＋］区（４）、阳极金属（５）、Ｎ型漂移区（６）、场氧化层（７）、金属前介质层（８）、Ｐ↑［＋］区（１０）、Ｎ↑［＋］区（１１）、多晶硅槽栅（１２）、ＬＩＧＢＴ器件栅氧化层（１３）、Ｐ型沟道区（１４）、多晶硅槽栅金属（１５）和阴极金属（１６），阴极金属（１６）与Ｐ↑［＋］区（１０）和Ｎ↑［＋］区（１１）连接，其特征在于，Ｐ↑［＋］区（１０）位于Ｎ↑［＋］区（１１）和阳极Ｐ↑［＋］区（４）之间。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：乔明，罗波，杨帆，刘新新，张波，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：90[中国|成都]