【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种杂环化合物，具体涉及一种具有对称结构的含咔唑和萘 酰亚胺基团的化合物、其制备方法及其作为有机半导体材料制备电存储器件 的应用。
技术介绍
在过去的几十年中，人们在微电子领域对无机半导体材料的研究和生产 取得了巨大的成功，但随着微电子技术的飞速发展，其各方面的标准越来越 髙，而无机半导体材料由于其自身物理方面的缺陷，与这种髙标准的矛盾越 来越明显，从而激发了人们在其他材料领域开展对半导体性能的研究。有机半导体材料的发展使在分子角度上实现器件应用成为可能，相比于 硅器件中标记"0"和"1"态来说明硅晶单元中信息存储的状态，有机存储 器件的数据存储是一种全新的模式，它是在施加电压的情况下有机材料从髙 阻态到低阻态的一种变化；它吸引人的地方在于①具有简单明了的结构， 分子结构可设计和易于合成；②所合成材料性能明显，接近甚至超过传统无 机材料的性能，特别是其三维可堆积性和信息存储量超高；③器件制作简单 和价格低廉。因此，目前已经有多种有机材料被尝试应用于电存储器件中， 如中国专利技术专利CN1271051C公开了一种氮杂芳环取代的四分枝功能分子材 料，可...
【技术保护点】
一种具有对称结构的含咔唑和萘酰亚胺基团的化合物，其特征在于，其通式为： ＊＊＊ 其中， Ｒ↓［１］选自Ｃ↓［１］～Ｃ↓［１２］的烷基、－（ＣＨ↓［２］）↓［ｎ］－Ｏ－（ＣＨ↓［２］）↓［ｎ］－、－（ＣＨ↓［２］）↓［ｎ］－ Ｎ（Ｒ↓［３］）－（ＣＨ↓［２］）↓［ｎ］－或－（ＣＨ↓［２］）↓［ｎ］－Ｒ↓［４］－（ＣＨ↓［２］）↓［ｎ］－；其中，ｎ为１～１２；Ｒ↓［３］为Ｃ↓［１］～Ｃ↓［６］的烷基；Ｒ↓［４］为苯基、萘基、蒽基或菲基； Ｒ↓［２］选自Ｃ↓［ １］～Ｃ↓［１２］的烷基、苯基、萘基、蒽基、菲基、＊＊＊；其中，ｍ为１～１２。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：路建美，李华，王丽华，徐庆锋，李娜君，夏雪伟，
申请(专利权)人：苏州大学，
类型：发明
国别省市：32[中国|江苏]
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