【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种半导体(semiconductor)元件的结构，且特别涉及一种发光二极管(Light Emitting Diode，LED)的封装结构。
技术介绍
由III-V族化合物半导体材料所构成的发光二极管是一种宽能隙(bandgap)的发光元件，其发出的光线涵盖所有可见光的波段。近年来，还由于发光二极管朝向多色彩及高亮度化发展，发光二极管的应用范围已拓展至大型户外显示广告牌及交通信号灯等，未来甚至可以取代钨丝灯和水银灯以成为兼具省电和环保的照明灯源。发光二极管的基本结构包含半导体层，其中半导体层是由p型掺杂半导体层(p type doped semiconductor layer)、n型掺杂半导体层(n type dopedsemiconductor layer)与位于p型掺杂半导体层及n型掺杂半导体层间的发光层(light emitting layer)所组成，而发光二极管的发光效率高低是取决于发光层的量子效率以及发光二极管的光取出效率(light extractionefficiency)，其中增加光取出效率的关键在于减少发光层所发出的光在发光二极管中...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种发光二极管封装结构，其特征是包括发光二极管，包括基板；半导体层，设置于该基板上，且具有粗糙表面，其中该半导体层包括第一型掺杂半导体层、发光层以及第二型掺杂半导体层，其中该发光层位于该第一型掺杂半导体层与该第二型掺杂半导体层之间；第一电极，位于该第一型掺杂半导体层上方，且电连接于该第一型掺杂半导体层；第二电极，位于该第二型掺杂半导体层上方，且电连接于该第二型掺杂半导体层；承载器，该承载器的表面具有第一接点与第二接点，而该发光二极管的该第一电极与该第二电极是朝向该承载器以分别与该第一接点与该第二接点电连接；以及反射层，设置于该承载器朝向该发光二极管的表面上。2.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征是该基板的表面为粗糙表面。3.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征是还包括两凸块，分别设置于该第一电极与该第二电极上，其中该第一电极与该第二电极分别通过上述这些凸块和该第一接点与该第二接点电连接。4.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征是还包括焊料，设置于该第一电极与该第二电极上，其中该第一电极与该第二电极通过该焊料分别与该第一接点与该第二接点电连接。5.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征是该发光二极管还包括透光导电层，设置于该半导体层上，且该第一电极与该第二电极是位于该透光导电层上。6.根据权利要求5所述的发光二极管封装结构，其特征是该透光导电层的材质包括铟锡氧化物、铟锌氧化物、氧化铝锌、氧化锌、氧化镍或镍金合金。7.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征是该第一型掺杂半导体层位于该基板上，该发光层位于该第一型掺杂半导体层上，而该第二型掺杂半导体层位于该发光层上。8.根据权利要求7所述的发光二极管封装结构，其特征是该第一型掺杂半导体层为p型掺杂半导体层，而该第二型掺杂半导体层为n型掺杂半导体层。9.根据权利要求7所述的发光二极管封装结构，其特征是该第一型掺杂半导体层为n型掺杂半导体层，而该第二型掺杂半导体层为p型掺杂半导体层。10.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征是该基板的材质包括氧化铝单晶、碳化硅、硅、氧化锌、砷化镓、尖晶石或晶格常数接近于氮化物半导体的单晶氧化物。11.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征是该发光层包括多重量子井发光层。12.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征是该承载器包括硅基板、氮化铝基板、金属基板、或合金基板或陶瓷基板。13.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征是该承载器包括导线架、印刷电路板或塑料导脚芯片承载器。14.一种发光...
【专利技术属性】
技术研发人员：曾焕哲，温伟值，潘锡明，
申请(专利权)人：璨圆光电股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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