【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种半导体电子分立元件，尤其是涉及一种三极管引线框架。技术背景引线框架是制造半导体元件的基本部件，实际运用中，还需在其封装区域表面电镀 金属层，再利用塑封料对基岛和小焊点封装，进而固定成一整体的半导体元件。现有的TO-126(行业通用型号)三极管引线框架，如图l所示，其电镀层的区域L包 括了芯片部和小焊点正面和背面的全部面积。由于引线框架、电镀层、塑封料分别由不 同的材料制作，各材料的热膨胀系数都不相同，尤其是电镀层与塑封料的结合力不理想， 所以，现有技术的TO-126三极管引线框架的电镀采用正面和背面双面电镀层结构，严 重影响了引线框架和塑封料之间的结合力与密封强度，从而影响了引线框架的质量，提 高了电镀成本，同时增加了电镀废液的排放量，从而增加了对环境的污染。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是提供一种既能满足原有封装要求，又增强引线 框架与塑封料间的结合力和密封强度，并降低电镀成本和减少电镀排放时对环境的污染 的三极管引线框架，本技术解决上述技术问题所采用的技术方案为 一种三极管引线框架，包括芯 片部、小焊点、中间管脚、侧管脚及覆盖在其表面的电镀层，所述的电镀层为正面的单 面电镀层。所述的单面电镀层覆盖了芯片部和小焊点正面的全部面积，以及中间管脚和侧管脚 正面的少部分面积。或所述的单面电镀层覆盖了芯片部正面的局部面积，小焊点正面的全部面积，中间管 脚和侧管脚正面的少部分面积。所述芯片部正面的局部面积，优选芯片部下边界向上3 5mm内的区域。与现有技术相比，本技术的优点在于由现有技术电镀层的区域包括了芯片部 和小焊点正面和背面的双面的全部...
【技术保护点】
一种三极管引线框架，包括芯片部（１）、小焊点（２）、中间管脚（３）、侧管脚（４）及覆盖在其表面的电镀层（５），其特征在于：所述的电镀层（５）为正面的单面电镀层。
【技术特征摘要】
1、一种三极管引线框架，包括芯片部(1)、小焊点(2)、中间管脚(3)、侧管脚(4)及覆盖在其表面的电镀层(5)，其特征在于所述的电镀层(5)为正面的单面电镀层。2、 如权利要求1所述的三极管引线框架，其特征在于所述的单面电镀层(5)覆 盖了芯片部(O正面和小焊点(2)正面的全部面积以及中间管脚(3)和侧管脚(4) 正面的少部分...
【专利技术属性】
技术研发人员：曹光伟，段华平，
申请(专利权)人：宁波康强电子股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：97[中国|宁波]
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