半导体引线框架制造技术

本实用新型专利技术公开了一种半导体引线框架，用以封装芯片，该引线框架包括基岛和设于基岛周围的多个配线区，其中芯片安装在基岛上，并通过金属引线电性连接到多个配线区，每个配线区包括一第一键合区和一第二键合区，其中第一键合区上具有第一金属材料，第二键合区上具有第二金属材料。因此，该引线框架能够适用多种引线的键合，避免由于不同引线的键合需要而导致框架种类多样，同时也提高了一个半导体器件内，多种金属引线的键合可靠性。（*该技术在2017年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种半导体引线框架，尤其涉及一种适用于多种引线键合 的半导体引线框架。
技术介绍
用于半导体器件封装工艺的引线框架被用来在基岛上安装半导体芯片，通 过引线键合在芯片与框架管脚之间实现电气性能的连接，用树脂材料密封半导 体芯片制成半导体器件，达到器件的可靠性要求。附图说明图1A是目前的用于半导体器件的引线框架及其装配结构实例的平面图。 如图IA所示，芯片1键合在引线框架的基岛2上，芯片1通过金属引线5 (如 铝线或者金线、铜线等)与引线框架的配线区3连接，并通过引线框架向外引 出到管脚4。为了实现引线键合的可靠性要求，在引线框架制造过程中，通常 根据金属引线的类型在如图1A所示的阴影线包围的配线区3覆盖一电镀层6。 图1B是引线框架电镀层的侧视图，其中芯片1安装在基岛2上，通过金属连 线5连接到配线区3的电镀层6上。在现有技术的普遍设计中，如果金属引线5是铝线，由于稳定的铝-镍键合 系统，通常在配线区3预先电镀上一层镍(Ni)作为电镀层6，该电镀层6的 厚度范围一般从2um到6um。如果金属引线是金线或铜线，由于稳定的金-银 键合系统，通常在配线区3预先电镀上一层银(Ag)本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体引线框架，用以封装芯片，该引线框架包括基岛和设于基岛周围的多个配线区，其中芯片安装在基岛上，并通过金属引线电性连接到多个配线区，其特征在于，每个配线区包括一第一键合区和一第二键合区，其中第一键合区上具有第一金属材料，第二键合区上具有第二金属材料。

【技术特征摘要】
1.一种半导体引线框架，用以封装芯片，该引线框架包括基岛和设于基岛周围的多个配线区，其中芯片安装在基岛上，并通过金属引线电性连接到多个配线区，其特征在于，每个配线区包括一第一键合区和一第二键合区，其中第一键合区上具有第一金属材料，第二键合区上具有第二金属材料。2. 如权利要求1所述的半导体引线框架，其特征在于，所述第一键合区覆 盖一第一电镀层，该第一电镀层由所述第一金属材料形成。3. 如权利要求2所述的半导体引线框架，其特征在于，所述第二键合区由 所述配线区中未被第一电镀层覆盖的部分形成，所述第二金属材料为配线区的基板 材料。4. 如权利要求3所述的半导体引线框架，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐定辉，周明，方旺胜，托尼徐，杨洪波，
申请(专利权)人：捷敏电子上海有限公司，
类型：实用新型
国别省市：31[中国|上海]