【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种半导体元件,具体讲是一种三极管引线框架。
技术介绍
引线框架是制造三极管这一半导体元件的基本部件,实际运用中,还需在其封装区 域表面电镀金属层,再利用塑封料对基岛和小焊点封装,进而固定成一整体的半导体元 件。现有技术的TO-92三极管引线框架(注行业通用型号)的电镀区域覆盖了基岛和小 焊点的全部面积及导脚的少部分面积。由于引线框架、电镀层、塑封料分别由不同的材 料制作,各材料的热膨胀系数都不相同,尤其是电镀层与塑封料的结合力不理想,所以, 现有技术的TO-92三极管引线框架的电镀结构严重影响了引线框架和塑封料之间的结合 力与密封强度,从而影响了引线框架的质量,且提高了电镀成本,同时还增加了电镀排 放时对环境的污染。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是,提供一种既能满足原有封装要求,又增强引线框 架与塑封料间的结合力和密封强度,提高质量并降低电镀成本和减少电镀排放时对环境 污染的TO-92三极管引线框架。本技术为解决上述问题所采用的技术方案为提供一种具有以下电镀结构的 TO-92三极管引线框架,包括基岛、左、右小焊点、导脚和中筋,在基岛和左、右小焊 点 ...
【技术保护点】
一种三极管引线框架,包括基岛、左、右小焊点、导脚和中筋,在基岛和小焊点的正面表面有金属电镀层,其特征在于:所述金属电镀层在基岛和小焊点的正面表面呈点式分布。
【技术特征摘要】
1、一种三极管引线框架,包括基岛、左、右小焊点、导脚和中筋,在基岛和小焊点的正面表面有金属电镀层,其特征在于所述金属电镀层在基岛和小焊点的正面表面呈点式分布。2、 根据权利要求1所述的三极管引线框架,其特征在于所述金属电镀层在基岛 和小焊点的正面表面呈点式分布指,在基岛(11)上有下边设延伸部和缺口的矩形电镀 点(61),其基岛(11)上的矩形电镀点(61)的面积为基岛(11)正面表面面积的1/3 1/2;在左小焊点(2al)上有矩形电镀点(5al),矩形电镀点(5al)的面积为左小焊点 (2al)正面表面面积的1/3 1/2;在右小焊点(2bl)上有T形电镀点(5bl), T形电镀 点(5bl)的面积为右小焊点(2bl)正面表面面积的全部。3、 根据权利要求1所述的三极管引线框架,其特征在于所述金属电镀层在基岛 和小焊点的正面表面呈点式分布指,在基岛(12)上有矩形电镀点(62),矩形电镀点(62) 的面积为基岛(12)正...
【专利技术属性】
技术研发人员:曹光伟,段华平,
申请(专利权)人:宁波康强电子股份有限公司,
类型:实用新型
国别省市:97[中国|宁波]
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